基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开...基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、In Ga As CCD成像进行了对比分析。结果表明,In Ga As CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点。因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题。展开更多
针对目前集成电路测试系统中交流参数的测试现状,提出一种基于PCI总线和直接数字频率合成技术(Direct Digital Synthesize,DDS)的程控信号源设计方案;文章先介绍了整个信号源系统的构成与工作原理,随后详细论述DDS信号发生模块、幅度调...针对目前集成电路测试系统中交流参数的测试现状,提出一种基于PCI总线和直接数字频率合成技术(Direct Digital Synthesize,DDS)的程控信号源设计方案;文章先介绍了整个信号源系统的构成与工作原理,随后详细论述DDS信号发生模块、幅度调节模块等模块的硬件设计;目前该信号源已通过相关部门验收并交付使用,该信号源可满足各种测试环境要求,同时其技术指标也达到了预期设计的精度要求。展开更多
文摘基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、In Ga As CCD成像进行了对比分析。结果表明,In Ga As CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点。因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题。
文摘针对目前集成电路测试系统中交流参数的测试现状,提出一种基于PCI总线和直接数字频率合成技术(Direct Digital Synthesize,DDS)的程控信号源设计方案;文章先介绍了整个信号源系统的构成与工作原理,随后详细论述DDS信号发生模块、幅度调节模块等模块的硬件设计;目前该信号源已通过相关部门验收并交付使用,该信号源可满足各种测试环境要求,同时其技术指标也达到了预期设计的精度要求。