L4981功率因数校正集成电路的特点及应用

１．简介功率因数校正电路（ＰＦＣ）分为有源和无源两种。无源校正电路通常由大容量的电感、电容和工作于工频电源的整流器组成。有源校正电路往往工作于高频开关状态，它们的体积小、重量轻，比无源校正电路效率高。图１是功率因数校正电路的三种不同结构形式。不同的结...

M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

介绍了日本三菱公司生产的用于驱动 IGBT 模块的厚膜驱动器集成电路 M57957L 与M57958L,给出了其引脚排列、名称、功能、用法、主要设计特点和极限参数,分析了其内部结构和工作原理,进而探讨了其应用技术。

M57951L/M57904L可同时驱动三个独立GTR单元的厚膜驱动器集成电路

本文介绍了可同时驱动三个独立GTR模块的厚膜驱动器集成电路M57951L/M57904L的引脚排列、各引脚的名称、功能和用法,叙述了它们的主要设计特点和参数限制,剖析了其内部结构和工作原理,进而给出了其应用电路。

MPEG-2单片AV解码集成电路L64O21

L64021是由美国LSI Logic公司生产的MPEG-2单片AV解码集成电路,它是将LSI的MPEG-2和杜比AC-3解码、CSS版权保护电路等集成为一体,是一种大规模MPEG-2解码集成电路。兼容VCD和CD-ROM格式,在DVD影碟机和多媒体PC机上应用较广泛,例如日本索尼公司的DVD系列影碟机等。 1.L64021内电路功能 图1是L64021集成电路内部结构原理框图。主要由主CPU接口电路、数据通道接口电路、SDRAM接口电路、音频解码电路、视频解码及播放控制电路等构成。

液晶电视易损集成电路——L6562／A、L6563、L6598／D、LD7522PS

L6562和L6562A均是电流模式PFC控制电路，具有以下特点：1．乘法器内置THD优化电路，以减小过零点失真，降低THD值（这是L6561所不具备的）；2．启动电流低（典型值低于30μA），可降低芯片功耗；

解码集成电路L64021及其应用

L64021是美国LSI LOGIC公司生产的MPEG-2单片AV解码集成电路,它将LSI的MPEG-2和杜比AC-3解码、CSS版权保护电路等集成于一体,是一款大规模MPEG-2解码集成电路。兼容VCD和CD-ROM格式,在DVD影碟机和多媒体PC机上广泛应用。例如日本索尼公司的DVD系列影碟机等。1.L64021内电路功能L64021集成电路内部结构框图如图1所示。主要由主CPU接口电路、数据通道接口电路、音频解码、视频解码、存储器接口电路和播放控制电路等组成。(1)主CPU接口:主CPU接口允许用户编程控制L64021的运行状态,并可监视DSP输入的压缩数据,并判断其是否有错,同时,该接口还允许CPU通过其对存储器中的OSD进行读写,以满足OSD显示的需要。

飞利浦推出Nexperia Personal系列集成电路

飞利浦日前推出了Nexperia Personal系列集成电路(IC)。该Nexperia PNX010x系列具备多种关键功能。

液晶电视易损集成电路——ICE381065、ICE3DS01G、L6561、LA5779N、MP2380

ICE381065（HBS1065）电流型离线式开关电源控制器 ICE381065或HBS1065是一款高集成度、高性能的PWM＋MOSFET二合一的电流型离线式开关电源控制器。内含67kHz（或100kHz）的振荡电路、误差放大电路、驱动电路、大功率MOSFET开关管和带有PWM调节功能DC／DC模块，并具有以下特点：

液晶电视易损集成电路——L6599、LD7575、LD7552

L6599是意法半导体公司专门针对串联谐振半桥拓扑电路新推出的控制器芯片，在上一代产品L6598的基础上新增了多种功能，如：直接连接功率因数校正器（PFc）的专用输出，两级过流保护（OCP），自锁禁止输入，

混合级I^2L三值逻辑电路的简化设计

I2L电路的特点是可以方便地进行电流加减,从而实现多值逻辑运算。将门级逻辑和开关级逻辑的特点结合起来,对混合级I2L三值逻辑的设计进行了探讨。

基于新型控制器L6585DE的2×58W/T8荧光灯电子镇流器设计

L6585DE是一种集成了PFC和半桥控制电路的新型镇流器控制器。本文介绍了基于L6585DE的2×58W/T8荧光灯电子镇流器原理与设计。

M57959L/M57962L型IGBT厚膜驱动电路

本文介绍日本三菱电气公司研制的Ｍ５７９５９Ｌ／Ｍ５７９６２Ｌ型ＩＧＢＴ驱动电路的内部结构、工作原理、封装形式、引脚功能及典型应用电路。

超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2

I^2L单元的建库技术

叙述了Ｉ２Ｌ的基本结构及原理，提出了Ｉ２Ｌ单元的建库方法，包括逻辑符号库、版图库、功能参数库的建立三部分内容，提出了常规逻辑图到Ｉ２Ｌ逻辑图的转换法则，以Ｄ触发器为例说明了Ｉ２Ｌ单元的建库过程。

L4970系列PWM开关电源芯片及其应用

本文介绍了L4970系列新型PWM式开关稳压电源芯片,给出了其应用场合、主要的性能特点、封装、管脚功能以及关键外围元件参数选择等,重点介绍了L4970A芯片在某半导体致冷装置电源系统中的一个典型应用实例,且详细地给出该实例的工作原理、具体电路、调试安装和注意事项。