期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
集成电路互连介质阻挡层进展研究 被引量:1
1
作者 王艳蓉 胡颖颖 张静 《电子世界》 CAS 2021年第20期77-80,共4页
随着集成电路尺寸的不断微缩,后段制程(back-end-of-line,BEOL)中介质层材料及其扩散阻挡层的选择制备与集成是逐渐成为制约超大规模集成电路发展的重要因素之一。用以金属Cu及互连介质层间扩散阻挡作用的阻挡层对材料的电阻特性,兼容... 随着集成电路尺寸的不断微缩,后段制程(back-end-of-line,BEOL)中介质层材料及其扩散阻挡层的选择制备与集成是逐渐成为制约超大规模集成电路发展的重要因素之一。用以金属Cu及互连介质层间扩散阻挡作用的阻挡层对材料的电阻特性,兼容性和可靠性方面提出严格的要求。本文主要从解决Ru作为Cu扩散阻挡层性能差这个角度出发,重点介绍了将Ru与TaN结合使用作为扩散阻挡层以及向Ru中添加Ta(N),从而增强Ru作为扩散阻挡层性能这两种方案。在研究Ru/TaN双层和RuTa(N)薄膜作为扩散阻挡层时发现,这两种方案中都有相应的影响因素,以及这些因素对薄膜都产生了影响。 展开更多
关键词 扩散阻挡层 超大规模集成电路 介质层 集成电路互连 电阻特性 介质阻挡 阻挡作用 兼容性
下载PDF
超大规模集成电路铜互连电镀工艺 被引量:3
2
作者 曾磊 张卫 汪礼康 《中国集成电路》 2006年第11期45-48,共4页
介绍了集成电路铜互连双嵌入式工艺和电镀铜的原理;有机添加剂在电镀铜中的重要作用及对添加剂含量的监测技术;脉冲电镀和化学电镀在铜互连技术中的应用;以及铜互连电镀工艺的发展动态。
关键词 集成电路 互连 电镀 阻挡层
下载PDF
ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景 被引量:4
3
作者 阮刚 陈智涛 +2 位作者 肖夏 朱兆旻 段晓明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期349-354,共6页
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。
关键词 ULSI 纳米多孔二氧化硅 干燥凝胶 低介电常数介质 特大规模集成电路互连
下载PDF
ULSI多层互连中W-CMP速率研究 被引量:1
4
作者 张进 刘玉岭 +2 位作者 申晓宁 张伟 苏艳勤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期737-740,共4页
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,... 随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。 展开更多
关键词 集成电路互连 化学机械抛光 钨插塞 抛光液 抛光速率
下载PDF
CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
5
作者 张映斌 赵枫 李炳宗 《微细加工技术》 EI 2006年第2期1-4,24,共5页
介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术———钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的垂直连接中的优缺点,并指出了钨化学机械抛光工艺中尚存的一些问题,最后对该工艺进行了总结与展望。
关键词 集成电路互连 钨化学机械抛光 钨插塞 凹陷 过蚀 钥孔现象
下载PDF
A Novel Barrier to Copper Metallization by Implanting Nitrogen into SiO_2
6
作者 张国海 夏洋 +3 位作者 钱鹤 高文芳 于广华 龙世兵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期271-274,共4页
The barrier to the copper diffusion is one of the key technologies in copper metallization. A novel barrier has been presented, which is a thin film of silicon oxynitride formed by implanting nitrogen into PECVD silic... The barrier to the copper diffusion is one of the key technologies in copper metallization. A novel barrier has been presented, which is a thin film of silicon oxynitride formed by implanting nitrogen into PECVD silicon dioxide. The method proved highly effective to block the copper diffusion after high frequency C V measurements at different BTS (Bias Thermal Stress) conditions and the XPS (X ray Photoelectron Spectroscopy) analysis. Furthermore, this method has the advantage of simplifying the damascene process of copper metallization, which has also been analyzed and discussed in detail. 展开更多
关键词 ULSI INTERCONNECTION COPPER BARRIER
下载PDF
A Design of ABC95 Array Computer Multi-function Interconnection Chips
7
作者 季振洲 ZhangHongtao 《High Technology Letters》 EI CAS 2002年第1期12-16,共5页
ABC95 array computer is a multi-function network computer based on FPGA technology. A notable feature of ABC95 array computer is the support of complex interconnection, which determines that the computer must have eno... ABC95 array computer is a multi-function network computer based on FPGA technology. A notable feature of ABC95 array computer is the support of complex interconnection, which determines that the computer must have enough I/O band and flexible communications between Pes. The authors designed the interconnecting network chips of ABC95 and realized a form of multi-function interconnection. The multi-function interconnecting network supports conflict-free access from processors to memory matrix and the MESH network of enhanced processors to processor communications. The design scheme has been proved feasible by experiment. 展开更多
关键词 SIMD Array computer Conflict-free Access
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部