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PI电容湿度传感器的研制
被引量:
6
1
作者
吴正元
陈涛
陈萍丽
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1999年第4期46-48,共3页
采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺(PI)为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0~96%范围内C~RH曲线线性度良好,灵...
采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺(PI)为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0~96%范围内C~RH曲线线性度良好,灵敏度为RH变化1%,电容变化0.15~0.17pF,该种湿度传感器的RH长期稳定性为3%/
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关键词
聚酰亚胺薄膜
电容式湿度传感器
集成电路光刻工艺
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职称材料
题名
PI电容湿度传感器的研制
被引量:
6
1
作者
吴正元
陈涛
陈萍丽
机构
华中理工大学电子科学与技术系
出处
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1999年第4期46-48,共3页
文摘
采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺(PI)为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0~96%范围内C~RH曲线线性度良好,灵敏度为RH变化1%,电容变化0.15~0.17pF,该种湿度传感器的RH长期稳定性为3%/
关键词
聚酰亚胺薄膜
电容式湿度传感器
集成电路光刻工艺
Keywords
polyimide thin films
capacitive humidity sensor
photolithographic technology for integrated circuits
分类号
TH837 [机械工程—精密仪器及机械]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PI电容湿度传感器的研制
吴正元
陈涛
陈萍丽
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1999
6
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职称材料
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