浅谈高职院校“集成电路制造工艺”课程教学改革

本文主要根据高职院校学生的特点，结合《集成电路制造工艺》课程的教学实际，在课程的教学内容、教学方法和教学手段等方面提出了一些改革方法，以激发学生的学习兴趣、提高教学质量。

《集成电路制造工艺》课程教学实践探讨

本文针对《集成电路制造工艺》课程的理论教学和实验教学进行了探讨.介绍了该课程核心教学内容的选取、课堂教学方式和实践性教学的改革与探索.提出了利用科研实验平台为本科生开设基本工艺实践的教学方式,以激发学生的学习兴趣,培养动手能力,提高教学效果.

浅谈“集成电路制造工艺”的课程建设和教学实践

首先介绍了"集成电路制造工艺"课程建设的指导思想,然后阐述了课程建设的内容和实施情况,最后对课程建设的效果进行了简要的分析和总结。通过三届本专业学生的教学实践,收到了较好的效果。

高职院校“集成电路制造工艺”课程思政探索与实践

课程思政是“三全育人”的重要组成部分,要全面推进高校的课程思政的建设。通过对陕西国防工业职业技术学院“集成电路制造工艺”课程思政的分析和思考,提出了课程中思政元素的设计方向和主要思政元素的思政策略,并对具体实施过程的思政实践过程进行了案例式分析,最后对课程思政实施可能会面临的问题进行了解析。

高职院校集成电路制造工艺原理课程的教学探索

集成电路制造工艺原理是一门涉及知识面广,教学内容信息量大,综合性和实践性都较强的课程.该课程在高职院校教学中普遍面临着教学资源匮乏,师资力量不足,教学模式刻板,实践教学难以开展等问题.为提高该课程的教学质量,从优化教学内容,改革教学方法,强化校企联合开展实践教学,加强师资队伍建设等方面进行改革,有利于激发学生学习的积极性,提升课程教学质量和教学效果.

边缘人工智能对5G毫米波网络的积极意义及其依赖的主流集成电路制造工艺简介

前言人工智能(Artificial Intelligence,AI)以许多不同的方式影响着我们的生活。有些人工智能产品比较常见,例如时下在美国越来越流行的智能数字助理Amazon Echo和Google Home,它们可以语音控制。还有一些人工智能技术,目前则还用在不那么引人瞩目的场合,但绝不代表它们不重要。例如,人工智能技术对于5G无线通信的成功推出和普及至关重要。应该看到,5G是一个演进中的标准,用于定义超高速、超宽带、低延迟的无线通信系统和网络。这种网络的功能和性能会比现有技术有跨越式提升。

我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展。掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。采用22纳米集成电路技术可以在一根头发丝的横截面上集成大约1000万个晶体管，从而使集成电路产品的功能更多样化，

我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展

近年来，我们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低，这有赖于集成电路制造工艺的不断进步。中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22nm技术代集成电路关键技术研发上取得了突破性进展，掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。

我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22nm技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展，掌握这种工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。

“集成电路工艺”虚拟实践平台建设与教学实践

在集成电路(IC)工艺的实验教学中,互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路加工工艺实验教学是学生加深对半导体工艺理解的重要环节。由于微电子行业的实验场所、时间以及实验设备的各种限制,真正的实际操作非常有限,导致实验教学效果并不理想。基于这些原因,开发了“集成电路工艺”虚拟实践平台,该平台对传统的实际操作实验教学进行了虚拟仿真,通过该平台学生可以进行集成电路工艺的模拟操作,极大地促进了学生的实验兴趣,并能够加深对集成电路制造工艺的理解。该虚拟实践平台已在学生中使用,取得了良好的实验教学效果。虚拟实践平台可以通过互联网进行优质教学资源共享,对微电子专业学生的实验教学具有良好的促进作用。

集成电路制造工艺课程中的微课教学

在信息化程度不断提高的当今社会,微课这种新型教学资源开始崭露头角并越来越多地被运用在日常教学中。本文在介绍了微课的概念特点的基础上,具体说明了其在集成电路制造工艺课程中的应用及取得的效果,以期对微课在微电子专业其他课程中的应用带来一些启示。

离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用

近年来,半导体集成电路技术发展迅速,半导体芯片在移动设备领域的应用越发广泛,相应对芯片在能耗和处理速度上的要求也越来越严格,从而催生出一系列半导体制造技术领域的重大革新,在这其中,既包括器件结构的变革如平面器件向三维器件FinFet,Nano-Wire等立体结构的转换,也包括各工艺模块甚至单项工艺技术的革新,如今,以Finfet为代表的立体栅结构已成为22nm技术节点以下逻辑器件的行业主流,各工艺的优化也都围绕着这类器件的需求展开。本文介绍了当前离子注入技术在纳米集成电路制造工艺中的关键应用及未来的发展方向。

化学气相沉积技术在先进CMOS集成电路制造中的应用与发展

随着CMOS集成电路晶体管尺寸不断微缩及其制造工艺的日益复杂,对化学气相沉积CVD薄膜制备工艺的要求越来越高。本文主要研究了用于介质间隙填充的流CVD技术和用于SiGe选择性外延的亚常压CVD技术,重点介绍了它们的工艺原理和方法,以及薄膜材料质量及其关键影响因素。本文综述了CVD技术的特点、优势及其在先进CMOS制造工艺中的应用;面对更先进工艺应用中的挑战,分析了它们存在的问题,并讨论了可能的解决方案和应用前景。

FD-SOI能否成为28nm以后的集成电路工艺路线

FD-SOI工艺在中国能否获得支持和采用正处在关键期。先进半导体制造产线的巨额投资,使FD-SOI工艺、平面工艺、Fin FET工艺之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马,尽管实际上目前备受关注的是其在平面工艺范畴中的表现,但FD-SOI也具备升级至3D架构的能力。本文将重点关注FD-SOI产业链的诸多环节在一年中发生的变化。

用于纳米级芯片制造的基于单晶圆LPCVD工艺

低压化学气相沉积（LPCVD）是化学气相沉积（CVD）的一个分支，同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少的重要工序之一。它主要用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化硅等薄膜的生长。其基本原理是将一种或数种物质的气体，在低气压条件下，以热能的方式激活，发生热分解或化学反应，在衬底（如硅晶圆）表面沉积所需的固体薄膜。

简析0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程

虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。

浅谈快速热处理工艺及其温度检测与控制

文章针对工艺过程中瞬时温度的检测和控制,结合测温实验从温度传感器、腔体结构、加热源几个方面分析了快速热处理设备的关键技术。

其它集成电路

9915129专用集成电路的设计验证方法及一种实际的通用微处理器设计的多级验证体系[刊]/杨文华//计算机研究与发展.—1999,36(6),—764～768(D)随着专用集成电路制造工艺及设计方法的飞速发展,片上系统可集成的功能越来越多,规模越来越大,设计验证越来越复杂,只有使用先进的设计验证方法充分地验证其设计,才能保证一次投片成功。文中针对专用集成电路设计验证的各种方法和一种实际的通用微处理器设计的多级验证体系作了专门的描述,对片上系统设计者在构建自己的设计验证方案、使设计得以充分验证方面能给予一定的参考。

先进的MEMS封装技术

从特殊的信号界面、立体结构、外壳、钝化和可靠性五个方面总结了MEMS封装的特殊性。介绍了几种当前先进的MEMS封装技术:倒装焊MEMS、多芯片 (MCP)和模块式封装(MOMEMS)。最后强调,必须加强MEMS封装的研究。

CMOS芯片结构与制程技术分析

提出通常接口与芯片剖面(或平面/剖面)结构,并依该结构得到的制程组成电路设计与芯片制造的新接口,介绍了剖面(或平面/剖面)结构技术。设计电路电气特性不仅与电路和版图结构、而且与模型参数、芯片结构参数以及制程等因素都有关。芯片制造一般都要对制程作修改、补充,还需要调整和磨合过程,才能得到合格的芯片。