期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Ku波段GaAs单片集成移相器
1
作者
伍祥冰
过常宁
+1 位作者
茅经怀
冯珅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期8-12,共5页
本文报道了一种工作在16.0～17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03...
本文报道了一种工作在16.0～17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内.
展开更多
关键词
GAAS
单片
集成移相器
移相器
下载PDF
职称材料
集成压控移相器的发展
2
作者
陈义飞
贾朝辉
范进先
《半导体情报》
1993年第5期21-29,37,共10页
简要介绍了频率从几兆赫至几千兆赫各种集成压控移相器的结构、特点及其在系统中的应用。
关键词
压控
移相器
集成移相器
移相器
下载PDF
职称材料
题名
Ku波段GaAs单片集成移相器
1
作者
伍祥冰
过常宁
茅经怀
冯珅
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期8-12,共5页
文摘
本文报道了一种工作在16.0～17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内.
关键词
GAAS
单片
集成移相器
移相器
分类号
TN623 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
集成压控移相器的发展
2
作者
陈义飞
贾朝辉
范进先
机构
电子部第
出处
《半导体情报》
1993年第5期21-29,37,共10页
文摘
简要介绍了频率从几兆赫至几千兆赫各种集成压控移相器的结构、特点及其在系统中的应用。
关键词
压控
移相器
集成移相器
移相器
Keywords
Integrated voltage controlled phase shifter
分类号
TN623 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ku波段GaAs单片集成移相器
伍祥冰
过常宁
茅经怀
冯珅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
下载PDF
职称材料
2
集成压控移相器的发展
陈义飞
贾朝辉
范进先
《半导体情报》
1993
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
