热电集成薄膜蒸发废水处理系统的轻量化分析

目的在满足净水产量和卫生要求的条件下 ,使载人空间飞行器环控生保系统的热电集成薄膜蒸发废水处理系统的设计质量达到系统水平上的轻量化。方法根据热电集成薄膜蒸发废水处理系统工作过程的特点 ,建立其主要部件的流动、传热和质量构成的物理数学模型 ,用数值方法对系统质量与结构参数、操作参数的关系进行研究。结果系统的质量不仅与废水处理系统本身的结构参数、操作参数有关 ,而且与电源系统和热控系统的工作特性关系密切。相关质量在系统质量构成中占有较大比例。结论废水处理系统的热电制冷元件的数目、废水的循环流量存在最佳值 ,使系统的设计质量最小。而较高的系统冷凝压力 ,有利于系统质量的降低。

硅基BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3集成薄膜的结构及其铂电极电容器的性能

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(001)基片上制备了BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3(BFMO/PZT/BFMO)集成薄膜,采用X射线衍射仪分析了其物相结构;采用铁电测试仪考察了该集成薄膜与铂极构成的铁电电容器的性能。结果表明:该集成薄膜结晶较好,除BFMO、PZT及基片的衍射峰外没有其它衍射峰存在;当电场强度为0.7 MV·cm^(-1)时,Pt/BFMO/PZT/BFMO/Pt电容器的电滞回线对称性良好,剩余极化强度为17.9μC·cm^(-2),矫顽力为0.12 MV·cm^(-1);在电场强度为0.4 MV·cm^(-1)下测得的铁电电容器漏电流密度为2×10^(-5)A·cm^(-2),电容器在经过10^(10)次反转后未出现明显的疲劳现象。

介电/半导体功能集成薄膜的制备和特性调控

介电/半导体功能集成薄膜,主要是指将具有电、磁、声、光、热等功能特性的介电功能材料(主要是氧化物类介电功能材料)与硅、砷化镓或氮化镓等典型半导体类功能材料,以单层薄膜或多层薄膜的形式生长(甚至外延生长)在一起而形成的人工新材料,这类新材料有可能具有多功能一体化和功能特性之间的相互调制及耦合等特点,可望在新型电子和光电子器件中获得应用。介绍了介电/半导体功能集成薄膜产生的背景;从集成铁电薄膜与器件、HK/半导体集成薄膜与器件以及极性氧化物/GaN功能集成薄膜与器件等3个方面,分别介绍了介电/半导体功能集成薄膜的应用;概括介绍了介电/半导体功能集成薄膜的制备方法及特性调控。

基于亚波长光栅辅助定向耦合器的集成铌酸锂偏振分束器

绝缘体上铌酸锂(LNOI)是实现高速光子集成回路(PICs)的理想平台。通过充分利用铌酸锂(LN)的优势,LNOI平台能够实现高速电光和高效非线性光学集成器件。偏振分束器(PBS)作为分离和组合两种正交偏振光模式的关键无源器件之一,在实现片上偏振复用系统并提升光通信系统数据传输容量方面发挥着至关重要的作用。近年来,基于不同结构的PBS已经被成功实现,其中,基于亚波长光栅辅助定向耦合结构的PBS表现出优异的器件性能和紧凑的器件尺寸。本文基于氮化硅-铌酸锂异质集成的间接刻蚀方案,实现了一种亚波长光栅辅助定向耦合结构的高性能PBS。仿真结果表明,当波长在1500~1600 nm时,器件的偏振消光比均大于24.49 dB。实验数据进一步证实,当波长在1500~1580 nm时,器件偏振消光比均大于18.06 dB。

铁电体/高温超导体集成薄膜的制备与性质

高温超导体的载流子浓度比常规超导体的低(对YBa_2Cu_3Q_(7-6)而言,n≌5×10^(21/cm^3)其载流子间的Coulomb屏蔽长度大,因而高温超导体中的载流子浓度易受外加电场的影响,或者说,能够由外场来调制.1991年,文献[1～3]研究了以SrTiO_3为门电极的金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)型的三端器件(three terminal devices),即超导场效应晶体管(superconducing field-effect transistor,SuFET).但实际的增益只达到0.9.通过采用高介电系数的门电极可以对这种超寻场效应晶体管加以改进.

双π型RF EMIF的一种薄膜集成制造方法

基于双π型电磁干扰滤波器(EMIF)的电路结构,借鉴了集成电路超微细加工技术,提出了与等平面超大规模集成电路工艺完全兼容的双p型EMIF电路的薄膜集成制造方法。该方法可用于制作满足未来电子系统的高频化、小型化、轻型化和片式化信号处理EMIF电路的应用需求,改善双p型EMIF电路的信号处理性能,还可将其与VLSI一起片上集成。

空间光谱成像及集成光学薄膜技术发展现状

随着空间光谱成像技术向更高精度和更宽光谱方向发展,长线阵及大面阵探测器以其优异的成像性能已经成为全谱段多光谱(高光谱甚至超光谱)成像光谱仪主要的光电转换器件。论文在分析空间光谱成像技术发展现状的基础上,介绍了空间集成光学薄膜技术发展历程及现状,并对空间集成光学薄膜技术的未来发展进行了展望。

集成埋置式薄膜无源元件MCM的研究现状

本文介绍了带有埋置式集成薄膜无源元件的多芯片组件的研究现状,其中包括MCM集成无源元件的研制方法、材料和工艺的选择和优化及MCM制造工艺等一整套问题。分析了集成薄膜无源元件MCM的优缺点及其发展趋势。

薄膜解耦集成磁件的结构设计与研究

文中分析了磁件解耦集成的基本原理,得出了磁件实现解耦集成所需的基本条件;根据抵消绕组间耦合作用的方法设计了一个解耦的集成磁件,将一个小功率变压器和一个电感集成在一起;采用薄膜化技术设计制作该集成磁件的薄膜磁芯;为了消除采用传统磁件结构时磁件两端的漏磁,设计了特殊的磁芯结构和与其相配套的绕组结构;对该磁件进行了仿真研究,验证了设计的有效性和可行性。

基于集成型薄膜电极的血铅离子快速分析系统

针对国内目前血铅测定方法普遍存在的取样量大、仪器设备昂贵、测定步骤多、时间长、分析成本高等缺点,该文通过将电化学传感器技术、现代印刷技术与微机械加工技术相结合,研制出可批量生产的集成型薄膜三电极体系。采用微分脉冲阳极溶出伏安法,只需50μL溶液,在3min时间内就可测出μg/dL水平的微量血铅。pH1.1溶液体系中,铅离子在1.2～70μg/dL的浓度范围内呈现良好的线性关系,线性相关系数为0.998。集成型薄膜三电极检测系统具有快速、准确及低成本等优点,达到现场实时检测的要求。

薄膜无源元件集成技术的发展现状

薄膜无源元件集成技术其成本低、可靠性高、环保节能、与半导体工艺兼容，通常能提供优良的元件精度和功能密度，成为无源元件集成技术发展的主流方向。薄膜集成无源工艺能制作各种电阻器、电容器和电感器元件，以及低电感接地板和连接无源元件的多层传输线布线，将各种功能薄膜集成在一起已经成为可能。电子无源元件和有源器件的集成，已成为发展电子新技术的一个突出亮点。

集成阻容元件及组件浪起潮涌

该文简介了全球集成元件的应用现状.展望了其发展前景.研究了国外集成薄膜电阻器、电容器及无源组件的关键工艺技术。探讨了我国在集成无源元件的研发应用方面与发达国家的差距及发展对策。

基于薄膜电阻加载的宽带电场探头工艺的实现

基于分布式薄膜电阻加载的电场探头,可实现电场辐射的高灵敏度低失真宽带电场辐射检测。基于薄膜混合集成电路工艺,在Al_(2)O_(3)陶瓷上使用8~12Ω/TaN薄膜用来制作电场探头天线,使用200~300Ω/TaN薄膜用来制作分布式低通滤波器及高阻传输线。通过沉积TiW/Au薄膜作为光刻蚀硬掩膜,经过多次套刻对准,将两种方阻TaN材料薄膜电阻分别进行保护或隔离,有效实现了TaN材料两种方阻电阻薄膜互连,最终将制作的陶瓷薄膜电路与检波二极管微组装成3 MHz~18 GHz及100 MHz~60 GHz电场探头,动态范围为0.5~650 V/m,实现了电场辐射超宽带高灵敏度感知。

国外高可靠军用集成元件技术研究综述

介绍了国外集成薄膜电阴器、电容器及无源组件的关键工艺技术的研究情况。

气泡-颗粒间相互作用行为在矿物浮选中的应用研究进展

气泡-颗粒间相互作用行为是浮选过程中的重要环节,气泡-颗粒相互作用受到多种因素影响,例如气泡尺寸、接近速度、表面活性剂类型、矿物润湿性、润湿膜的稳定性和诱导时间等。本文综述了浮选中气泡-颗粒间三种典型的相互作用力及现代测量技术与应用,介绍了几种传统的和新型的测力技术及作用行为可视化手段,及其在矿物浮选中的应用。气泡与颗粒间的相互作用力主要包括范德华力、静电力和疏水力,这些力决定着矿物颗粒能否顺利黏附于气泡表面。亲水颗粒与气泡相互作用由经典的DLVO理论描述,疏水颗粒与气泡相互作用由扩展的DLVO理论解释。原子力显微镜(AFM)、表面力仪(SFA)和诱导时间仪已被广泛用于测量相互作用力的大小及诱导时间,为气泡与颗粒的黏附提供重要数据信息。集成薄膜排水装置(ITFDA)可看作诱导时间仪与AFM的结合体,动态相互作用力仪(DIFA)由诱导时间仪与改进的表面力仪组合形成。如今,集成薄膜力仪(ITLFFA)能在液体中测量气泡和颗粒之间的动态相互作用力、变形及时空薄膜厚度,实现在较高接近速度下模拟动态排水过程,这种表征更符合实际的浮选过程。气泡-颗粒的相互作用行为的研究从过去的静态已逐渐转变为更符合实际的动态研究,在复杂液体环境中测试气泡与颗粒相互作用是未来发展的必然趋势,这为矿物浮选提供理论支撑。

Ta/Al合金薄膜中功率衰减器的研究

介绍了一种用于微波电路的中功率薄膜衰减器。该衰减器是由铝原子含量为50％的Ta/Al合金薄膜制成。其性能优良。

陶瓷基板上的集成微电感模型与制作

对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析。由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值。同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和Si基板上同批制作了集成电感,两者的结构参数完全一致。测试结果表明,两者的电感值L基本相同,然而陶瓷基板上集成微电感Q值的峰值要比Si基板集成微电感高7左右,Si基板上Q值峰值在5 GHz以下,而陶瓷基板集成微电感的Q值峰值在10 GHz左右。

集成无源元件在无线系统中的应用及工艺

对在现代无线通讯系统中应用的无源元件集成化的主要解决方案进行了介绍与分析,并对比了半导体薄膜集成技术与厚膜集成技术的主要优缺点,以研发的一种薄膜集成RCD低通滤波芯片为例,介绍了薄膜集成无源元件的设计方法和主要工艺流程。