大规模集成电路测试程序开发技术及流程应用

大规模集成电路测试程序开发技术及流程应用是现代电子工程领域的重要议题,有效的测试程序对保障集成电路质量和可靠性至关重要。本研究旨在探讨大规模集成电路测试程序的关键技术和流程,以及在电路设计和生产中的影响,以期提升大规模集成电路测试程序的开发与应用效果,进一步促进电子产业的发展,为电子产业的创新和进步提供有力支撑。

基于电路分块的超大规模集成电路测试技术研究

由于现有的测试技术在VO4端振幅为-15~25 cm,与实际值不符,不能检测出故障,研究基于电路分块的超大规模集成电路测试技术。运用超图分解来进行电路分块,通过原始输入到各个子电路的输入,使得不同子电路的输出值都能够得到敏化。运用并行遗传方法将原始电路按照节点的数量进行划分与分配,定期对种群中适应度最优个体进行传输。根据集成电路的布局,对芯片性能变化因素添加一定的约束。通过特定的测试向量生成电路生成,并根据测试长度来计算故障覆盖率,判断不同方法中的故障覆盖率大小。实验结果表明,在VO4端的振幅为-10~10 cm,与实际值完全一致,能够符合集成电路测试需求。

超大规模集成电路适应性测试方法综述

随着现代半导体工艺的迅猛发展,超大规模集成电路(VISI)的研发和制造技术日臻成熟,一个普通芯片,甚至由几亿个晶体管组成。随着集成电路设计和制造复杂度的提高,工艺技术的不断创新,电路测试难度大幅度提升,测试成本飙升,因此,自适应测试的发展至关重要,动态地调整测试流程,消除测试模式冗余,减少了测试时间,提升了测试效率,降低了测试成本。

道路建设中的智能化技术与系统集成创新

科技突飞猛进,道路建设也引入了智能化技术,其应用范围日益扩大。这不仅延展了建设的条理,更让效率大幅提升。本论文研讨的焦点,在于这智能化技术如何在道路建设项目中施展。全篇梳理了实际应用场景以及其效果,同时深究了如何构建智能系统。发现,将各种各样的系统集成创新,会使得智能技术在建设过程中更奏效,推动道路建设走向更高效、更优质的阶段。因此,深耕智能化技术,打通各系统,便能有效提升管理效率,引领道路施工质量更上一层楼,同时避免施工过程中的风险,还能节省成本。同时,本研究还提出了一种超大规模集成的智能系统模型,并以此为基础进行了仿真实验,结果证明该模型在道路建设项目中的高效性和可行性。该研究对于更广泛的智能化技术与系统集成创新在建筑领域的应用具有重要的推导作用。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

新一代大规模集成电路高温动态老化测试系统的研制

本文充分利用分布式网络控制、可编程ASIC技术及数据库技术 ,在我国第三代集成电路高温动态老化系统BTI2 0 0 0的基础上 ,研制开发了新一代大规模集成电路高温动态老化系统 。

超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析

目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Coγ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.

日本超大规模集成电路项目合作开发的启示

通过回顾1976年日本通产省所成功组织的超大规模集成电路研发项目,着重分析了日本政府在VL- SI研究项目中的组织方式、联合研究项目的技术和参与成员选择、联合实验室的组织形式、资源分配等方面所发挥的重要作用,在此基础上,指出了政府在构建以企业为主体的研发机制中应特别注意在研发成员组成、技术领域、组织形式等方面的选择。

中规模集成电路功能测试仪的设计

设计了一款针对学校实验室常用的中规模集成电路芯片的功能测试仪。测试仪的核心AT89C55单片机管理和控制整个测试流程,对测试数据进行处理、判断,并通过LCD、LED显示和指示其测试结果。详细介绍了测试仪的总体设计思路,给出了ADC0809、DAC0832、LM555、SG3524等芯片的详细测试电路图。

大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法

空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数;建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差,提高了预估方程的拟合优度和显著程度,使预估方程处于置信区间。

面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法

随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通孔数量:(1)一种高效的基于区域划分的并行策略,实现各区域在并行布线阶段负载均衡,以提高并行布线的效率;(2)基于线网等效布线方案感知的通孔优化策略,决定各线网对布线资源使用的优先级,进而减少层分配方案的通孔数量.最终将上述两种策略相结合,提出了一种面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法.实验结果表明该算法对通孔数量和运行时间均有良好的优化效果.

降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型

本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 .

六苯胺环三磷腈的制备及其对大规模集成电路封装用环氧模塑料的无卤阻燃

采用滴加工艺,制备了六苯胺基环三磷腈(HPACTPZ),对合成工艺进行了优化,并对其进行了FTIR、NMR表征和分析。采用自制的HPACTPZ作为阻燃剂,制备了无卤阻燃的大规模集成电路封装用环氧树脂模塑料(EMC)。结果表明,HPACTPZ对环氧树脂具有优异的阻燃作用,所制备的EMC可达到UL-94V0级阻燃性能,其氧指数达到35.8%,阻燃性能大大优于传统含溴阻燃体系,同时HPACTPZ加快了环氧树脂的固化反应,可用于制备快速固化及无后固化的大规模集成电路封装用EMC。

大规模集成电路封装用联苯型环氧树脂的制备及其结构与性能

采用3,3′,5,5′-四甲基-4,4′-联苯二酚与环氧氯丙烷在18-冠-6-醚(CE18)为相转移催化剂作用下,利用两步加碱法合成了联苯型环氧树脂(TMBP),在反应温度为80℃、反应时间为8 h、NaOH用量为0.2 mol时,产率达83%。用核磁共振、红外光谱、X射线衍射、热台偏光显微镜和DSC对所制备的产物进行了结构表征。结果表明,合成的产物为TMBP,具有良好的结晶性,熔点为107.8℃,在冷却过程中出现液晶态。TMBP熔融黏度极低(0.02 Pa.s,150℃),用TMBP与酚醛环氧树脂(ECN)共混,可降低体系的黏度,从而提高硅微粉的填充量和大规模集成电路封装材料的流动性。

低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究

对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:1050nm/min;6.89 kPa:440nm/min)并降低了表面粗糙度:在较高压力(41.34 kPa)下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下(6.89 kPa),铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,最大划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求.

控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧 .结合用双级反渗透 (RO)及电脱盐 (EDI) [1～ 3 ] 再加上 185nm紫外光照射高纯水 ,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至 0 6 μg/L和 0 7μg/L,并用键能理论解释了

化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展

随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大马士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状.

功能型微流控芯片实验室的高通量和规模集成

以单一十字通道为基本构成,毛细管电泳为主体性能的第一代微流控芯片,曾经活跃了很长一段时间,至今仍是很大一部分同类芯片中的主流技术.我们曾在自行设计研制的波长为532 nm的激光诱导荧光电泳芯片仪上,分别采用自行设计研制的玻璃芯片、PMMA和PDMS塑料芯片,开展了DNA、蛋白质、糖蛋白的分离和手性药物的拆分研究,并完成了SARS病毒基因反转录多重PCR检测,癌症病人P16基因甲基化DNA诊断和高血压基因筛查等的研究和相应的一定规模(分别为18例、159例和226例)的实际样品的测试,实现了微流控芯片系统的初级功能化.……