期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展
被引量:
3
1
作者
王彩琳
高勇
张新
《电子器件》
EI
CAS
2005年第4期945-948,957,共5页
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管...
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。
展开更多
关键词
硅直接键合
电力电子器件
集成
门极
换流晶闸管
集成门极双晶体管
MOS控制可关断晶闸管
下载PDF
职称材料
题名
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展
被引量:
3
1
作者
王彩琳
高勇
张新
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《电子器件》
EI
CAS
2005年第4期945-948,957,共5页
基金
陕西省教育厅专项科研计划项目
其编号为04JK245
文摘
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。
关键词
硅直接键合
电力电子器件
集成
门极
换流晶闸管
集成门极双晶体管
MOS控制可关断晶闸管
Keywords
silicon direct bonding (SDB)
power electronic devices
integrated gate commutated thyristor(IGCT)
integrated-gate dual transistor (IGDT)
MOS turn-off thyristor (MTO)
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展
王彩琳
高勇
张新
《电子器件》
EI
CAS
2005
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部