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题名集成OC门上拉电阻的分析计算
被引量:2
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作者
杨蕴玠
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机构
乐山师范学院物理与电子信息科学系
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出处
《乐山师范学院学报》
2004年第12期31-32,共2页
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文摘
介绍集成OC门上拉电阻的分析计算方法,给出其取值范围。
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关键词
集电极开路门
上拉电阻
高电平
低电平
漏电流
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分类号
TN79
[电子电信—电路与系统]
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题名总线信号I/O CHRDY驱动门类型的替代方案
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作者
王海涌
申功勋
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机构
北京航空航天大学宇航学院
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出处
《测控技术》
CSCD
2005年第8期72-73,共2页
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基金
国家自然科学基金资助项目(69774029)
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文摘
对XT及AT总线的I/OCHRDY信号必须采用集电极开路门(OC门)驱动的说法进行了更正,指出了用三态门(TSL门)代替OC门的充要条件,TSL门代替OC门有助于板级布局布线的简明整洁,提高可靠性,并在FPGA内进行了逻辑实现,逻辑系统运行无误。
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关键词
三态门
集电极开路门
总线
VERILOG
HDL
可编程逻辑器件
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Keywords
TSL gate
OC gate
bus
Verilog HDL
programmable logic device
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分类号
TP336
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名基于Multisim8数字电路实验的几个使用技巧
被引量:4
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作者
张学文
司佑全
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机构
湖北师范学院物理与电子科学学院
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出处
《湖北师范学院学报(自然科学版)》
2012年第4期75-78,共4页
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基金
湖北师范学院教研项目(Z0201121)
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文摘
用Multisim 8对某些数字电路实验进行仿真时,发现仿真过程与结果存在与实际实验不相一致之处。提出了相应的解决方法,其思想对使用Multisim 8进行仿真实验亦有很好的借鉴作用。
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关键词
multisim8
数字地
集电极开路门
三态门
竞争冒险
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Keywords
multisim8
digital ground
open collector gate
tri-state gate
competition and adventure
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分类号
TN79
[电子电信—电路与系统]
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