IGBT集电极电压高精度测量方法研究

IGBT导通和截止电压相差较大,传统的检测电路无法实现其宽范围、高精确度的测量。首先,本文提出了一种IGBT导通和截止电压集成的测量电路,实现了IGBT导通和截止电压的准确测量。进而给出了具有高动态性能的IGBT截止和导通电压分立测量电路,前者通过电阻分压、电容补偿实现了IGBT开关暂态集电极电压的高带宽测量;后者利用电流源给二极管注入微小电流实现IGBT导通饱和压降的精确测量,并实验验证了IGBT导通和截止集电极电压测量电路的高带宽和高精确度性能,测量精确度分别为5m V和10V。最后,对IGBT导通饱和压降-结温-集电极电流三者间存在的线性关系进行实验验证,并结合IGBT输出特性形成的分段线性函数,形成了更简单、实用的IGBT结温在线估计方法。

一种IGBT集电极电压测量电路的设计

由于大功率IGBT开通和关断集-射电压具有跨度大的特点,现有的大功率IGBT驱动检测电路无法同时实现宽范围、高精度的测量。为此提出了一种新的IGBT集电极开通和关断电压集成的测量电路。该电路通过电阻分压网络实现IGBT关断电压的测量;利用驱动信号来控制电流源向高压隔离二极管注入微小电流使其导通,并对此二极管误差进行补偿,实现IGBT导通饱和压降的精确测量。仿真和试验验证了设计电路的正确性和有效性,可为高压大功率IGBT高性能驱动器的研制奠定基础。

集电极取样电路具有缺陷的晶体管特性图示器改进方法

JT - 1型晶体管特性图示器由于其读测简便、直接显示的优点而被广泛采用 ,但有的晶体管特性图示器集电极取样电路设计具有一定的缺陷 ,会给测量带来严重的影响。本文提出了自己的观点 。

电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响

研究了GaAs HBT高能电子(～1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电压均增大。因此认为,高能电子辐照造成的位移损伤在GaAs HBT集电区和BC结内诱生的大量复合中心使集电极串联电阻增大,以及BE、BC结内形成的复合中心俘获结内载流子使载流子浓度降低造成BE、BC结自建电势差下降是集电极饱和电压和残余电压增加的主要原因。

从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步（一）

对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现，随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步，表明了IGBT模块的阻断性能在进步；不同壳温下的额定电流差距在缩小；集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高；栅一源极阈值电压的离散性在缩小，栅一源极闽值电压在提高，提高了抗电磁干扰能力；开关性能在提高；栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通／关断的一致性在提高。

从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步

IGBT作为新型电力电子器件的代表，已成为产业发展的基本支撑，文章对不同年代IGBT通用型模块的主要数据进行了逐一对比分析。通过分析发现，随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步，表明了IGBT模块的阻断性能在进步；不同壳温下的额定电流差距在缩小；集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高；栅一源极阈值电压的离散性在缩小，栅一源极闽值电压在提高，提高了抗电磁干扰能力；开关性能在提高；栅极体电阻拳数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通／关断的一致性在提高。