期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
5
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
锗硅异质结双极型晶体管RF雪崩效应Mextram模型研究
1
作者
刘静
郑少华
刘茵
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期1493-1499,共7页
传统Mextram模型基于雪崩倍增电流源Iavl来描述硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应,忽略了射频条件下因雪崩倍增相位延迟以及载流子传输时间延迟带来的集电结电感延迟问题.对硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应进行了研究,解释了导致...
传统Mextram模型基于雪崩倍增电流源Iavl来描述硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应,忽略了射频条件下因雪崩倍增相位延迟以及载流子传输时间延迟带来的集电结电感延迟问题.对硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应进行了研究,解释了导致器件集电结中出现电感延迟的物理机制.提出采用击穿电感和电阻分别表征器件的(Radio Frequency,RF)电感延迟特性和雪崩倍增载流子的贡献,建立考虑RF雪崩倍增效应的电感击穿等效电路模型,并嵌入到Mextram 505.00模型中.基于S参数来描述改进模型的验证结果,与传统模型相比,改进模型在应用频率小于35 GHz条件下,显著改善了硅锗异质结双极晶体管的增益和输出阻抗的精度,且不会对器件模型的直流特性拟合精度产生负面影响.同时从改进模型的电子击穿电感Ljcn、电子击穿电阻Rjcn、输出曲线、增益参数和输出阻抗中提取等效电路模型的敏感参数Aem和Vg.结果表明,基于RF电感击穿等效电路的Mextram 505.00改进模型可以更精确地预测射频条件下雪崩倍增效应发生时硅锗异质结双极晶体管的器件性能.
展开更多
关键词
HBT
Mextram模型
参数提取
RF
雪崩倍增效应
碰撞电离
下载PDF
职称材料
初论雪崩晶体管雪崩工作状态的合理选取
2
作者
王戟
《火控雷达技术》
1999年第3期18-20,共3页
雪崩晶体管雪崩工作状态的合理选取,是避免雪崩振荡,保证线性调频信号稳定工作的必要条件。
关键词
雪崩倍增效应
雪崩
工作区
电离
雪崩
晶体管
下载PDF
职称材料
基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性
被引量:
3
3
作者
赵晓锋
温殿忠
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1214-1217,共4页
介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件———S型负阻振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁...
介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件———S型负阻振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁场的变化而变化;在基极注入电流一定时,出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻振荡特性,且集电极电流振荡随外加磁场而变化.对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论,结果表明,在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下,当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时,该磁敏三极管伏安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻振荡特性.在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻振荡特性进行调制.
展开更多
关键词
MEMS
S型负阻-振荡特性
硅磁敏三极管
雪崩倍增效应
下载PDF
职称材料
高精度光纤传输延迟测试技术研究
被引量:
1
4
作者
吴振刚
《计量与测试技术》
2015年第4期6-8,12,共4页
雷达系统中主机与子系统间的高速数据传输采用光纤进行,光纤传输存在延迟,主机需要对各路传输延迟进行准确测量,以便加以修正。本文着重介绍了时间数字转换法在光纤传输延迟测量技术中的应用,详细分析了测量原理和软、硬件实现,为光纤...
雷达系统中主机与子系统间的高速数据传输采用光纤进行,光纤传输存在延迟,主机需要对各路传输延迟进行准确测量,以便加以修正。本文着重介绍了时间数字转换法在光纤传输延迟测量技术中的应用,详细分析了测量原理和软、硬件实现,为光纤传输延迟的测量提供了一种全新的技术方法。
展开更多
关键词
时间数字转换法
传输延迟
雪崩倍增效应
TDC—GP21
下载PDF
职称材料
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
5
作者
吕红亮
张义门
张玉明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期2541-2546,共6页
基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了不同的温度和掺杂条件下 ,器件的击穿机理 .
关键词
4H-SIC
pn结型二极管
击穿特性
隧穿
效应
碳化硅器件
雪崩倍增效应
原文传递
题名
锗硅异质结双极型晶体管RF雪崩效应Mextram模型研究
1
作者
刘静
郑少华
刘茵
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期1493-1499,共7页
基金
陕西省重点研发计划(No.2022GY-016)。
文摘
传统Mextram模型基于雪崩倍增电流源Iavl来描述硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应,忽略了射频条件下因雪崩倍增相位延迟以及载流子传输时间延迟带来的集电结电感延迟问题.对硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应进行了研究,解释了导致器件集电结中出现电感延迟的物理机制.提出采用击穿电感和电阻分别表征器件的(Radio Frequency,RF)电感延迟特性和雪崩倍增载流子的贡献,建立考虑RF雪崩倍增效应的电感击穿等效电路模型,并嵌入到Mextram 505.00模型中.基于S参数来描述改进模型的验证结果,与传统模型相比,改进模型在应用频率小于35 GHz条件下,显著改善了硅锗异质结双极晶体管的增益和输出阻抗的精度,且不会对器件模型的直流特性拟合精度产生负面影响.同时从改进模型的电子击穿电感Ljcn、电子击穿电阻Rjcn、输出曲线、增益参数和输出阻抗中提取等效电路模型的敏感参数Aem和Vg.结果表明,基于RF电感击穿等效电路的Mextram 505.00改进模型可以更精确地预测射频条件下雪崩倍增效应发生时硅锗异质结双极晶体管的器件性能.
关键词
HBT
Mextram模型
参数提取
RF
雪崩倍增效应
碰撞电离
Keywords
heterojunction bipolar transistor
Mextram model
parameter extraction
RF avalanche multiplication ef⁃fect
impact ionization
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
初论雪崩晶体管雪崩工作状态的合理选取
2
作者
王戟
机构
西安电子工程研究所
出处
《火控雷达技术》
1999年第3期18-20,共3页
文摘
雪崩晶体管雪崩工作状态的合理选取,是避免雪崩振荡,保证线性调频信号稳定工作的必要条件。
关键词
雪崩倍增效应
雪崩
工作区
电离
雪崩
晶体管
Keywords
avalanche multiplication effect avalanche zone ionization
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性
被引量:
3
3
作者
赵晓锋
温殿忠
机构
黑龙江大学集成电路重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1214-1217,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60076027)~~
文摘
介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件———S型负阻振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁场的变化而变化;在基极注入电流一定时,出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻振荡特性,且集电极电流振荡随外加磁场而变化.对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论,结果表明,在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下,当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时,该磁敏三极管伏安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻振荡特性.在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻振荡特性进行调制.
关键词
MEMS
S型负阻-振荡特性
硅磁敏三极管
雪崩倍增效应
Keywords
MEMS
negative-resistance oscillations characteristics
silicon magnetic sensitive transistor
avalanche multiplication effect
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高精度光纤传输延迟测试技术研究
被引量:
1
4
作者
吴振刚
机构
中国电子科技集团公司第八研究所
出处
《计量与测试技术》
2015年第4期6-8,12,共4页
文摘
雷达系统中主机与子系统间的高速数据传输采用光纤进行,光纤传输存在延迟,主机需要对各路传输延迟进行准确测量,以便加以修正。本文着重介绍了时间数字转换法在光纤传输延迟测量技术中的应用,详细分析了测量原理和软、硬件实现,为光纤传输延迟的测量提供了一种全新的技术方法。
关键词
时间数字转换法
传输延迟
雪崩倍增效应
TDC—GP21
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
5
作者
吕红亮
张义门
张玉明
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期2541-2546,共6页
文摘
基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了不同的温度和掺杂条件下 ,器件的击穿机理 .
关键词
4H-SIC
pn结型二极管
击穿特性
隧穿
效应
碳化硅器件
雪崩倍增效应
Keywords
silicon carbide
pn diode
breakdown
tunneling effect
impact ionization
model
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锗硅异质结双极型晶体管RF雪崩效应Mextram模型研究
刘静
郑少华
刘茵
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
初论雪崩晶体管雪崩工作状态的合理选取
王戟
《火控雷达技术》
1999
0
下载PDF
职称材料
3
基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性
赵晓锋
温殿忠
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
下载PDF
职称材料
4
高精度光纤传输延迟测试技术研究
吴振刚
《计量与测试技术》
2015
1
下载PDF
职称材料
5
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
吕红亮
张义门
张玉明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部