用于个人剂量测量的硅探测器信号处理电路的设计

介绍了一种用于个人γ剂量测量的微型硅探测器的信号处理电路的设计,讨论了PCB(印制电路板)设计中应注意的问题。该信号处理电路主要包括前置放大电路、滤波成形电路和极-零相消电路,前置放大电路采用了电荷灵敏前置放大器,滤波成形电路采用了CR-RC滤波成形网络。设计的信号处理电路PCB面积仅有10 cm2,对于0.662 Me V的γ射线,信号处理电路的输出信号的信噪比达到了50:1,输出脉冲幅度达到了1.5 V左右,输出信号之后没有明显的下冲现象,其性能可以满足用于个人剂量测量的要求。

井下3He中子探测器模拟前端电路的研究

为提升3He中子探测器在井下应用时电信号提取的质量,降低各种噪声对3He中子探测器输出信号的污染,提高中子能谱测量和中子通量分布测量的精准度,提出了一种适用于井下应用的3He中子探测器模拟前端电路的设计。通过对3He中子探测器输出电信号模型进行分析,结合石油测井应用对中子探测信息提取要求,采用电荷灵敏放大器配合极零相消电路与比例放大电路构成探测器信号提取前置电路,后级配接积分整形放大电路,实现中子脉冲信号信息提取前0V^3.5V范围内精密准高斯脉冲信号成形。经实验测定,脉冲信号成形后信号幅度非线性小于1%,脉冲展宽约4.7μs左右,可有效提升井下中子脉冲分析的可靠性、精确性。

提高SiPM时间分辨能力方法研究——基于两种SiPM性能对比测试

本文通过实验分析从脉冲宽度和能量分辨率两个维度,对比Sensl的FC10035和FC10020的性能,为基于硅光电倍增管(SiPM)的闪烁体探测器提供设计参考,实验表明FC10020的脉冲宽度仅为200 nS,适合对于时间性能要求较高的应用场景,FC10035的能量分辨能力较好,适用于对能量分辨要求较高的应用场景;为提高响应的动态范围,降低Pileup的概率,设计了pole-zero (零极相消)电路,通过实验验证了零极相消电路对于缩短脉冲宽度的有效性。