可求长曲线的非零温度点

构造一个平面上的可求长曲线，在其上非零上温度点是稠密且不可数的．

并联IGBT占空比的温度特性建模与分析

并联IGBT是解决托卡马克(Tokamak)装置中等离子体垂直位移快速控制电源容量逐渐增大问题的有效途径。而并联IGBT之间的结温平衡是并联系统安全稳定运行的关键因素之一。因此,研究结温对并联IGBT功率损耗差异的影响对提高并联系统的稳定性至关重要。然而现有的研究成果主要集中在单个器件损耗模型或者是并联IGBT的最佳工作频率范围而未涉及对并联IGBT最佳工作占空比范围的讨论。研究发现,当IGBT工作在正温度系数区间时,结温差异造成的通态损耗差异与开关损耗差异呈不同的温度特性。因此,提出零温度-占空比的概念来估计并联IGBT之间结温失配趋势。该文建立零温度-占空比模型,并以此来分析电路设计参数、IGBT器件参数以及结温差异对并联IGBT最佳工作占空比范围的影响。实验结果表明,通过零温度-占空比模型可以对并联IGBT的可靠性、电路设计参数以及器件选型提供可行的参考。

ELM-AdaBoost模型在光纤陀螺温度误差补偿中的应用

针对光纤陀螺零偏与温度之间复杂的非线性关系,引入极限学习机(extreme learning machines,ELM)模型补偿光纤陀螺的零偏温度误差;针对单个ELM在预测准确性和稳定性不足及其对奇异样本敏感的问题,引入自适应增强算法(adaptive boosting,AdaBoost)建立ELM-AdaBoost预测模型改善光纤陀螺性能,分析光纤陀螺的温度误差机理及模型参数对预测精度的影响,给出ELM算法隐含层神经元个数及AdaBoost算法迭代次数的确定方法。仿真结果表明:基于ELM-AdaBoost预测模型的补偿效果优于多元线性回归模型和单个ELM神经网络模型,并具有良好的泛化性能和温度适用性,补偿后陀螺零偏均方根误差降低93%以上,显著改善了光纤陀螺零偏稳定性能。

利用三轴转台的MEMS陀螺仪温度误差研究综述

本文通过研究分析相关研究领域的文献,阐述了MEMS陀螺仪的工作机理以及产生温度误差的原因,并总结了当前MEMS陀螺仪温度误差研究领域所使用的测试方法和取得的一些成果,为后续的课题研究奠定基础。

质子和γ射线辐照对Bi-系超导体零电阻温度的影响

２０ＭｅＶ质子辐照固态反应法和硝酸盐溶胶凝胶法制备的Ｂｉ－系超导体，伴随有核激发的γ及β射线辐照。在线测量的结果表明超导样品的零电阻温度Ｔ是增加的，但是随着时间的推移Ｔ值逐渐下降。我们测量了超导体的Ｔ和γ射线随时间的变化情况。发现Ｔ在伴随γ射线辐照下首先增加，而后逐渐下降。这表明γ射线对超导体的Ｔ存在两方面的影响，一是激发样品中的载流子，激发态的载流子构成载流子对，其能隙较宽，提高了：二是产生辐照缺陷，破坏超导体的微观结构，降低Ｔ质子辐照在超导样品中产生很多缺陷，降低Ｔ。

MEMS陀螺仪零偏温度特性分析及性能优化

零偏温度漂移是MEMS陀螺仪主要误差源之一,对MEMS陀螺仪零偏温度漂移误差源进行了分析。检测电路中延时相位的漂移是引起MEMS陀螺仪零偏温度漂移的主要原因。自时钟技术基于锁相环原理,将MEMS陀螺仪的驱动频率作为锁相环参考频率。陀螺仪检测电路的系统时钟频率跟随MEMS陀螺仪驱动频率而变化,两者始终保持固定的比例关系,最大限度地消除了延时相位变化。使用自时钟技术,将MEMS陀螺仪零偏温度漂移减小为原来的2%。

具有高适应性的光纤陀螺零偏非线性温度误差补偿方法

确定了光纤陀螺零偏温度误差模型的组成并设计温度试验验证了所选模型项的充分性。通过反解温箱传递函数实现了温箱的输入控制,并控制陀螺本体进行了恒定速率升降温,再结合不同高低温区间的温度循环操纵误差轨线完成了对于温度/温变速率平面的覆盖,揭示了平面覆盖性与环境适应性间的联系。借助非线性偏最小二乘估计对零偏非线性温度漂移模型进行了高精度辨识,获得了各温度因素的组成形式与影响权重。最后利用随机变温与惯导冷启动试验验证了本方法对于复杂温度环境的高适应性。经温度误差补偿后,全温范围陀螺零偏稳定性由0.02°/h水平降至优于0.005°/h。

用于建立零温差温度场的位式调节算法和实时速率调节算法的温度控制软件的开发

为实现实验中所需要的绝热环境,在MCGS环境下开发了位式调节算法和实时速率调节算法的温度控制软件,设计了基于外侧人工环境的零温差温度场,完成了多种不同温度下的保温实验,得到了不同实验环境下两种控制算法的优缺点。

用于建立零温差温度场温控软件的开发

为实现实验中所需要的绝热环境,在MCGS环境下开发了位置型、增量型PID控制算法的温度控制软件,设计了基于外侧人工环境的零温差温度场,完成了室温、30℃、40℃、50℃等不同温度下的保温实验,以及室温至30℃、30℃至40℃、40℃至50℃加热条件下的温度控制实验,分析了不同实验环境下两种控制算法的优缺点。

零电阻温度为112K的Bi系超导体的研制

本文对 Bi1.8Pb0.3Sr2Ca2Cu3-xVxOy（X=0.0,0.1,0.2,0.3,0.4）进行了实验研究,测量了ρ—T 曲线和χ—T 曲线。讨论了材料的化学组成,制备工艺条件与高温超导电性的关系。成功地制备了零电阻温度 T∞=112K 的 Bi1.8Pb0.3Sr2Ca2Cu<sub>2.8V0.2Oy 超导体,并进行了 X 射线衍射分析和讨论。

电液压力伺服阀的温度零漂分析

该文以典型的喷嘴挡板式电液压力伺服阀为例,介绍了电液压力伺服阀的工作原理及过程,从温度影响喷嘴、节流孔、磁性能、滑阀以及油液等几个方面,分析了电液压力伺服阀因温度变化从而引起输出压力发生变化的原因,并提出了减小温度零漂的措施。

超稳腔零膨胀温度点的精细测量方法研究综述

利用超低热膨胀系数的Ultra-Low-Expansion(ULE)材料加工成超稳腔,并将其温度控制在零膨胀系数的温度点是获得低频率漂移速率的关键。超稳腔零膨胀温度点的测量在超稳激光研究领域中起到关键作用,零膨胀温度点下的低漂移速率超稳激光对能级跃迁谱线的精密测量有着重要意义。本文阐述了基于超稳腔的Pound-Drever-Hall(PDH)激光稳频基本原理,介绍了超稳激光重要性能指标的测量方式,详细介绍了参考腔拍频法、光梳测量法、光钟测量法三种超稳腔的零膨胀温度点测量方法,具体分析了它们的使用条件和工作原理,并进行了实验验证。最后对零膨胀温度点精细测量方法的未来发展方向进行了总结与展望,为促进超稳激光技术的进一步发展提供借鉴。

中国北方年极端温度的变化趋势与区域增暖的联系

建立在全国110站的日平均表面温度资料的基础上,着重分析了北方干旱和半干旱地区1951～2000年极端温度发生频率和强度的变化趋势,同时给出了年极端温度变化的变化趋势及区域差异;最后讨论了极端温度的时空特征和区域增暖的相互联系.结果指出:从1951到2000年,在北方干旱和半干旱地区,最低温度发生的频率显著减小,只是趋势开始的时间存在区域差异;与之不同的是,20世纪90年代以前,绝大多数地区最高温度发生的频率没有明显的变化趋势,但近10年却有一个明显的增加趋势;年极端日平均温度强度的分析结果表明:北方地区年最低温度存在显著的减小趋势.从各个分区零温度以下天数的统计结果来看,北方地区近50年来零温度的天数正在减少,且零温度的开始时间推后,结束时间提前.另外,通过分析北方地区极端温度发生的频率及年极端温度和区域增暖的关系发现,当前的增温趋势与极端最低温度发生频率的减少和年最低温度的升高密切相关,近10年极端最高温度的增加加剧了增温的幅度.

研制一束常温应变计零漂温度补偿曲线族

本文依据大量实验与理论分析找出零漂温度补偿曲线的规律，从而研制成可直接确定补偿电阻值的温补曲线族。运用曲线族图形时，不必用繁琐计算，迅速地在电桥电图上得到补偿。这将给生产上带来极大的方便。

应用于气体传感器的多波导层Love波器件的温度特性研究

为获得趋于零温度系数的多波导层Love波器件结构参数,对Love波器件的温度稳定性进行了研究。首先构建了这种多波导层条件下Love波传播特性的理论模型,即根据层状结构声波传播方程和边界条件推导出Love波的色散方程,再结合色散方程和Tomar的方法,成功提取出趋于零温度系数的Love器件结构参数,并通过实验验证了理论计算结果,实验测试得到的基于ST-90°X石英且采用SU-8与SiO_2双波导层的Love波延迟线器件的频率温度系数(tcf)仅为2.16 ppm/℃。优化后的器件具有很好的实际意义。

水轮机大轴零韧性温度试验的工艺研究与生产推广应用

本文主要通过微合金化和锻后正回火热处理工艺优化的方法，研究与解决水轮机大轴材料低温韧性问题，满足了用户零韧性温度试验的要求，研究成果已推广应用到生产实践中，为公司订购更多的水电产品提供有力的技术支撑。

铌酸锂和钽酸锂的频率温度系数研究

铌酸锂(LN)和钽酸锂(LT)具有弹光及电光效应,可用于压电振子、压电换能器及压电驱动器,而这些器件受切角对频率温度系数影响大。该文主要研究了一级频率温度系数分别随绕x轴和z轴旋转切角θ1和θ3的变化,且画出了各个切型下,一级频率温度系数随切角变化的曲线图,从而确定了LT晶体的零温度切角和LN的近似零温度切角,对由LT和LN制成的晶体器件的切角选择具有指导意义。

一种40Mbps传输速率的光纤数据接口芯片设计

阐述设计的一种40Mbps光纤数据接口的芯片,传输速率是20Mbps光纤数据接口芯片的1.6倍,传输延时达到20ns,抖动时间稳定在0.04ns,占空比达到44.19%,信号传输能力稳定且输出信号不失真。在此基础上,将芯片和LED封装在一起,该芯片可以为LED稳定提供3.5~4mA的工作电流,降低整体功耗。该芯片适合数字光学数据链接和数字音频接口。

具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计

设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器。根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的面积。Si MOS器件电源电压为5V,采用TSMC 0.25μm工艺制作。当温度从300K变化到600K时,SiC运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300K的64dB降到-80dB,失去电路的稳定性。但是,由于Si CMOS器件沟道迁移率低,导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si运算放大器。

CMOS工艺制备的高压PMOSFET温度特性研究

采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用1.5μmP阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不同温度下(27°C～200°C)的器件特性,包括漏电流I_(DS)、阈值电压V_T、栅跨导gm的温度特性,并与常压PMOSFET温度特性比较,推导阈值电压值与温度的简单关系。