能带的立方对称哈密顿量对零禁带半导体材料的动力学介电常数的影响

本文讨论了零禁带半导体材料的能带立方对称哈密顿量对动力学介电常数的影响,用了微扰论的方法将立方对称项看成微扰项进行计算,结果表明:立方对称项的一阶微扰和高阶微扰计算不改变零禁带半导体的介电常数奇异性质。修正量在5～10%之间,其大小视材料而定。

共振受主态在零禁带Hg_(1-x)Mn_xTe磁量子输运中的影响

在温度为0.3～4.2K,磁场强度为0～7T的范围内对两个不同组份的Hg_(1-x)Mn_xTe(N_A>N_D)样品进行了输运特性的研究.组份x=0.03的样品在弱磁场(B<0.6T)下出现磁阻振荡,用修正的Pidgeon-Brown模型拟合各振荡峰值位置,得到共振受主能级随温度降低而升高,表明受主共振态已形成束缚磁极化子(RABMP).组份x=0.065的样品出现阶段性下降负磁阻行为,理论分析表明这是受主能级钉扎费密能级并在强场(B～1.5T)通过a_v(-1)价带顶引起价带空穴散射增强.两个样品都呈现负磁阻行为,但从磁阻的各向异性及能带分析表明其机理有所不同.