HL—1M装置边缘参数和雷诺Xie强的径向分布

利用马赫／郎缪尔探针组测量HL－1M装置刮离层（SOL）和边缘静电雷诺Xie强，等离子体极向旋转，径向和极向电场的径向分布。在低杂波电流驱动（LHCD），超声分子束注入（SMBI），多发弹丸注入（MPI）和中性束注入（NBI）实验中，给出了雷诺Xie强和极向流的关系。结果指出，由于雷诺Xie强的径向变化，托卡马克等离子体边缘可以产生剪切极向流。

HL—1M装置超声分子束注入的边缘等离子体结构

HL－1M装置的分子束流注入加料实验中，利用提高注入口气源的气压来提高超声分子束流的速度和增加入射的粒子密度，从而改变边缘电场，等离子体旋转速度和边缘静电雷诺Xie强。本文利用马赫／郎缪尔探针组测量HL－1M装置刮离层（SOL）和边缘雷诺Xie强，等离子体极向旋转，径向和极向电场的变化，表明了随着分子束流速度和粒子密度的增加，延伸了分子束流的注入深度。