硅外延雾状表面形成机制研究

当前,硅外延片作为制备功率MOS等器件的关键支撑材料,对其表面的结晶质量有愈加严格的要求。硅外延片表面一旦存在雾状缺陷也就意味着晶体完整性遭到破坏,后续在器件工艺流片后将直接导致器件漏电大、软击穿,严重影响产出良率。文章通过对表面形貌和微粗糙度的测定,分析了硅外延片出现雾状缺陷的起因,为后续有效防止该现象再生提供了解决思路。