新型霍尔式角位移传感器的设计与试制

以AS5045集成电路芯片为核心,采用AlNiCo稀土磁铁产生磁场,结合405B集成电路设计了一种可输出数字量、模拟量或脉冲信号的新型角位移传感器,在结构上实现了机与电的隔离,有效提升了传感器的抗干扰能力。与现有的电阻式角位移传感器相比,能实现非接触式的360°全范围测量,最高分辨率可达0.09°,理论寿命无限长,可替代现有各种类型的角位移传感器。

霍尔式角位移传感器电磁兼容设计

为解决霍尔式角位移传感器的电磁兼容问题,分别对抗干扰电路和磁路屏蔽结构进行了研究和设计.根据电磁干扰的3要素,设计了新颖实用的抗干扰电路和磁路屏蔽结构,经实验室和长沙汽车电器检测中心检验后,电磁兼容性符合相关标准.