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霍耳效应实验分析 被引量：3
1
作者 顾应龙 茶国志 +1 位作者 张茜 吴宁园 《聊城师院学报（自然科学版）》 2002年第3期22-25,79,共5页
对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.
关键词 霍耳效应实验 霍耳效应测量仪 磁场干扰 磁感应强度 实验原理 霍耳电势差
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用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能
2
作者 卢殿通 黄栋 HEINER RYSSEL 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期185-188,共4页
采用常规方法和分步注入法制备SOI SIMNI(SilicononInsulator SeparationbyImplantationofNitrogen)薄膜材料 .用液氦低温霍耳效应进行了分析测量 .测量结果表明 :分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□ 和较高的载流子迁移率 .... 采用常规方法和分步注入法制备SOI SIMNI(SilicononInsulator SeparationbyImplantationofNitrogen)薄膜材料 .用液氦低温霍耳效应进行了分析测量 .测量结果表明 :分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□ 和较高的载流子迁移率 .实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能 .对实验结果和机理进行了解释 . 展开更多
关键词 离子注入 分步注入 霍耳效应测量 电学性能 SOI-SIMNI 薄膜
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