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不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱
1
作者
陈晔
张旺
+4 位作者
李国华
韩和相
汪兆平
周伟
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期1092-1098,共7页
在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 8...
在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 82、94和 98me V/GPa,都小于 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边的压力系数 ,特别是尺寸为 2 6nm的小量子点比 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边小 1 7% ,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小 .理论计算表明有效质量的增大和 Γ- X混合是量子点压力系数变小的主要原因 ,并得到横向直径为 2 6和 52 nm的小量子点的 Γ- X混合势为 1 5和1 0 me V.根据实验还确定 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点系统 X能带具有 类结构 ,并且估算出价带不连续量为 0 .1 5± 0 .0
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关键词
ALGAAS
INALAS
量子点
光致发光
静压光谱
下载PDF
职称材料
题名
不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱
1
作者
陈晔
张旺
李国华
韩和相
汪兆平
周伟
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
中国科学院半导体研究所材料科学实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期1092-1098,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目 !697760 1 2 &&
文摘
在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 82、94和 98me V/GPa,都小于 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边的压力系数 ,特别是尺寸为 2 6nm的小量子点比 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边小 1 7% ,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小 .理论计算表明有效质量的增大和 Γ- X混合是量子点压力系数变小的主要原因 ,并得到横向直径为 2 6和 52 nm的小量子点的 Γ- X混合势为 1 5和1 0 me V.根据实验还确定 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点系统 X能带具有 类结构 ,并且估算出价带不连续量为 0 .1 5± 0 .0
关键词
ALGAAS
INALAS
量子点
光致发光
静压光谱
Keywords
In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As
quantum dot
photoluminescence
hydrostatic pressure
分类号
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱
陈晔
张旺
李国华
韩和相
汪兆平
周伟
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
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