深亚微米SRAM存储单元静态噪声容限研究

文章对深亚微米条件下的SRAM存储单元的静态噪声容限进行了详细的理论分析。并在此基础上分析考虑了各种因素对静态噪声容限的影响,并利用Hspice软件进行了仿真。仿真结果显示,理论分析的结果与实际相吻合。

规则静态噪声的自适应去噪方法

地震勘探测线经常要穿越工业区,不可避免地受到外界多种震源和50Hz工业电的影响,造成采集资料的大面积噪声干扰,这类干扰能量强、频带宽、且具有一定的规律性,需在叠前资料处理前有效去除。针对工业区的噪声干扰特点,提出了一种自适应零相位振幅滤波方法:即假定初至前噪声的频谱在信号区基本没有变化,据此估算出信号区噪声频谱n(ω),然后计算信号频谱s(ω),并将其反变换到时间域,从而达到去噪的目的。实例表明,去噪前后叠加剖面对应的频谱,其高频段弱信号能量明显得到提高。

G882光泵磁力仪静态噪声水平检验与分析

G882光泵磁力仪主要用于海洋磁探作业,也常常作为地磁日变观测仪器使用。无论哪种工作需要,使用前都应对仪器稳定性测试,借此了解仪器性能和工作指标。依据相关技术规范和计算方法,结合多年野外日变实测资料,可对该型磁力仪基本性能指标的静态噪声进行计算检验与统计,同时分析环境、数据来源等外部因素对计算结果的影响程度,综合评价此项性能指标限值的合理性。

静态串扰噪声识别算法

传统的静态串扰噪声识别算法只验证耦合电容和噪声幅值信息,没有考虑噪声宽度对电路逻辑功能的影响,所以给出的结果过于保守,导致设计收敛的时间被延长。文章在传统算法的基础上增加了噪声宽度这一识别指标,克服了以往算法结果过于保守的缺点。实验表明,通过验证噪声幅值和宽度指标,算法准确地识别出对电路逻辑功能产生影响的静态串扰噪声,为IC设计的后端优化提供了准确信息。

汽车鼓式制动器静态制动噪声主因分析

城乡经济快速进步,面对新的形势,汽车已成为人们平日出行必需的工具。近些年来,汽车行业逐步扩大了规模,人们对于汽车不再停留于最基本的行驶功能,在此基础上也更重视舒适度及其他性能。然而,汽车内部的鼓式制动器通常很容易发出尖锐噪声,这种噪音影响到用户对于舒适度的感知,同时还可能造成较大规模的汽车噪声污染。为此,对于鼓式制动器而言,有必要明确静态制动产生的噪声根源;结合鼓式制动器具体的运行模式,探究噪声的主要成因及其解决途径。

基于静态试验的发动机自由场声压级计算方法

分析通过喷气式发动机静态噪声试验数据获得其自由场声压级的数据修正方法。通过对点声源在刚性地面和有限声学阻抗地面上的分析,得到了基于地面试验数据的自由场声压级修正量计算方法。在此基础上,将点声源模型推广到复杂的喷气式发动机分布式声源模型,得到了可以考虑喷气式发动机喷气声源分布模型的自由场声压级修正量的计算方法。最后,采用参考文献中喷气式发动机噪声数据对该方法进行验证。结果表明,在考虑发动机声源特性和地面阻抗特性的情况下,该方法计算结果与参考文献中结果基本一致,可用于喷气式发动机静态噪声试验中自由场声压级的计算。

振动噪声在地震勘探资料处理中去除方法

众所周知,对于穿过工业区的一些地震测线,不可避免地受到外界多种机械震源干扰的影响,造成采集资料的大面积噪声干扰,这类干扰能量强、频带宽、有一定的规律性。叠前资料的去噪是资料处理中的首要任务。有针对性的各种叠前去噪方法也很多,但目前还没有一种有效的方法去除该类噪声。针对这类干扰,进行了详细地分析,并提出了一种自适应去噪方法,应用效果表明,该方法能较好地去除上述噪声,有效地提高了资料的信噪比。

履带拖拉机噪声分析及控制技术研究

通过对履带拖拉机驾驶员耳旁噪声、静态环境噪声及部件噪声的测量和分析,采取多种改进措施,经过再次测试验证,各项指标明显优于国家标准要求,满足OECD认证,证明采取的措施是有效的。

地震勘探中振动噪声去除方法研究

众所周知，对于穿过工业区的一些地震测线，不可避免地受到外界多种机械震源干扰的影响，造成采集资料的大面积噪声干扰，这类干扰能量强、频带宽、有一定的规律性。叠前资料的去噪是资料处理中的首要任务。有针对性的各种叠前去噪方法也很多，但目前还没有一种有效的方法去除该类噪声。针对这类干扰，进行了详细地分析，并提出了一种自适应去噪方法，应用效果表明，该方法能较好地去除上述噪声，有效地提高了资料的信噪比。

几种静态随机存储器单元的性能分析

本文分析了四种不同晶体管数量（6管~9管）的八种不同结构SRAM单元。对每个单元的工作原理进行了分析,结合设计实例和模拟结果对这些SRAM单元的功耗、读写能力、稳定性等性能进行了对比,并总结了一些设计经验。

地震勘探资料处理中机械振动噪声的自适应去除方法

众所周知,对于穿过工业区的一些地震测线,不可避免地受到外界多种机械震源干扰的影响,造成采集资料的大面积噪声干扰,这类干扰能量强、频带宽、有一定的规律性。叠前资料的去噪是资料处理中的首要任务。有针对性的各种叠前去噪方法也很多,但目前还没有一种有效的方法去除该类噪声。针对这类干扰,进行了详细地分析,并提出了一种自适应去噪方法,应用效果表明,该方法能较好地去除上述噪声,有效地提高了资料的信噪比。

基于低电压SRAM的单元结构优化研究进展

阐述低电压技术的应用背景,综述国内外研究现状,针对低电压技术下SRAM单元结构优化面临的问题进行分析,并探讨了相应的解决策略,认为其在图像处理、语音识别、存内计算等领域具有广阔的发展空间。

阈值电压对超深亚微米SRAM存储单元SNM的影响

采用基于物理模型的 α指数 MOSFET模型 ,对超深亚微米 (VDSM:Very Deep Submicron) SRAM存储单元的静态噪声容限 (SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析 ,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对 SNM的影响 ,结果与 HSPICE仿真相符 ;文中同时分析了栅宽与 SNM的关系 ,其结论与实验结果一致 ,并给出了 VDSM

适用于位交叉布局的低电压SRAM单元(英文)

提出一种9管单端SRAM单元结构,该种SRAM单元采用读写分离方式,具有较高的保持稳定性和读稳定性。该单元采用新的写操作方式,使由其组成的存储阵列中,处于"假读"状态的单元仍具有较高的稳定性,因此在布局时能够采用位交叉布局,进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题。仿真结果显示,当电源电压为300 mV时,该种结构的静态噪声容限为100 mV,处于"假读"状态的单元静态噪声容限为70 mV。

超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究

采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。

新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%。

纳米工艺SRAM单元的尺寸效应研究与优化

集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降。针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行了分析,对不同工艺尺寸(90 nm^7 nm)的静态噪声容限进行了研究。分析了漏极致势垒降低效应、反向短沟道效应、正/负偏压温度不稳定性效应等物理效应,据此拟合出一个静态噪声容限经验公式。最后,对SRAM单元尺寸效应进行了优化,提高了SRAM单元的稳定性。

一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法

文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM)。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。

45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗

提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法.所提方法具有不增加面积和延时、改善静态噪声边界、对SRAM设计流程的改动很小等优点.提出了三种新型的SRAM单元结构,并且使用这些单元设计了一个32kb的SRAM,仿真结果表明,整体泄漏功耗可以降低50%以上.