期刊文献+
共找到8篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
新型静态存贮器及单片微机在线损测量中的应用
1
作者 郭琳 黄兴泉 《实用测试技术》 1995年第5期8-10,共3页
掉电保护静态RAM是一种非易失性CMOS静态数据存贮器,它可广泛用于测量仪器、仪表中,具有使用方便、掉电保护可靠等显著特点.本文介绍了2K×8掉电保护静态RAMMK48202在线损测量仪中的具体应用。
关键词 静态存贮器 微机 在线损测量
下载PDF
自保护存贮器9964及其应用
2
作者 邝仲文 《电子技术应用》 北大核心 1991年第3期31-33,共3页
自保护存贮器也称作多功能静态存贮器,具有写入保护和停电保护双重功能。它是一种有源存贮组件,国外称作盒式存贮器。它的外形和插脚与通用存贮器类似,可直接取代6116、6264,2716、2732、2764等存贮芯片。使用中,具有与普通RAM 相同的... 自保护存贮器也称作多功能静态存贮器,具有写入保护和停电保护双重功能。它是一种有源存贮组件,国外称作盒式存贮器。它的外形和插脚与通用存贮器类似,可直接取代6116、6264,2716、2732、2764等存贮芯片。使用中,具有与普通RAM 相同的读写速度,不需更改程序即可直接代用,而且没有写入次数的限制。由于该写速度快、使用寿命长、运用功能多。 展开更多
关键词 自动保护 存贮器 静态存贮器
下载PDF
HM628128静态RAM在单片机中的应用
3
作者 赵耿 符国益 《特钢技术》 CAS 1997年第3期64-65,共2页
本文以HM628128的实际应用为例,说明了大容量静态RAM在单片机中的应用方法。
关键词 单片机 存贮器 静态存贮器
下载PDF
FPGA/CPLD可编程逻辑器件的在系统配置方法 被引量:9
4
作者 何伟 唐仁圣 张玲 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期125-128,共4页
讨论了基于SRAM技术的CPLD/FPGA可编程逻辑器件的编程方法 ,并以ALTERA公司FLEX10系列器件为例 ,提出了一种利用微处理器对可编程逻辑器件进行在系统多方案配置的实用方法。该方法成本低廉、简单易行 ,能在系统复位或上电时自动对器件编... 讨论了基于SRAM技术的CPLD/FPGA可编程逻辑器件的编程方法 ,并以ALTERA公司FLEX10系列器件为例 ,提出了一种利用微处理器对可编程逻辑器件进行在系统多方案配置的实用方法。该方法成本低廉、简单易行 ,能在系统复位或上电时自动对器件编程 ,不仅有效的解决了基于SRAM的CPLD/FPGA器件掉电易失性的问题 ,而且使单一芯片可以具有多种逻辑功能 ,实现了该类器件逻辑功能的在系统多方案的灵活配置。 展开更多
关键词 复杂可编程逻辑器件 现场可编程门阵列 被动串行配置PS 静态存贮器 电子设计自动化 在系统配置
下载PDF
太空600系列监护仪加装视频输出
5
作者 刘文启 吕琳 《医疗卫生装备》 CAS 2003年第5期52-52,共1页
关键词 太空600系列监护仪 视频输出 PAL视频信号 静态存贮器
下载PDF
现场多功能定点观测系统
6
作者 朱伯荣 王振东 《海洋工程》 CSCD 1997年第3期33-40,共8页
现场多功能定点观测系统是为潮汐河口及沿海地区进行水文测验而研制的。它由传感器组件、压力仓、电子电路、数据采集和处理装置等组成。传感器组件有流速、流向、温度、压力、电导率和含沙量等传感器,能测量流速等6种水文参数。该系... 现场多功能定点观测系统是为潮汐河口及沿海地区进行水文测验而研制的。它由传感器组件、压力仓、电子电路、数据采集和处理装置等组成。传感器组件有流速、流向、温度、压力、电导率和含沙量等传感器,能测量流速等6种水文参数。该系统的使用既可长期定点锚泊测量,也可短期随船测量。长期锚泊测量能适应恶劣环境。 展开更多
关键词 现场测量 锚泊 传感器 静态存贮器
下载PDF
SRAM数据保护的两个电路
7
作者 张尉 金素华 《电子与自动化》 1998年第3期47-48,共2页
SRAM数据保护的两个电路张尉金素华(空军雷达学院114信箱,武汉,430010)SRAM(静态随机存贮器)在单片机及数字电路中应用广泛。但在许多场合(如双口RAM的数据保护、掉电保护、替代EPROM调试单片机用户板... SRAM数据保护的两个电路张尉金素华(空军雷达学院114信箱,武汉,430010)SRAM(静态随机存贮器)在单片机及数字电路中应用广泛。但在许多场合(如双口RAM的数据保护、掉电保护、替代EPROM调试单片机用户板等),需要精心设计SRAM数据保护... 展开更多
关键词 SRAM 静态随机存贮器 数据保护电路
下载PDF
一种15ns的1兆位CMOS SRAM
8
作者 KatsuroS 李祥 《微电子技术》 1995年第6期24-31,共8页
我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器,它的制造是采用0.8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小:5.2μm×8.5μm,芯片尺寸为6.15mm×15.21mm。通过采用新的电路技术,得到了15ns的... 我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器,它的制造是采用0.8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小:5.2μm×8.5μm,芯片尺寸为6.15mm×15.21mm。通过采用新的电路技术,得到了15ns的快速存取时间。该技术为。一个PMOS负载译码器,一个三级动态增益控制读出放大器,并结合补偿技术及反馈电容技术。电路的动态电流较低,在20MHz时为50mA,静态电流也低,对TTL为15mA,而CMOS则为2μA。 展开更多
关键词 CMOS SRAM 静态存贮器 1兆位
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部