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电子倍增CCD倍增要件研究
被引量:
4
1
作者
张灿林
陈钱
尹丽菊
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期2771-2775,共5页
讨论了信号载流子倍增寄存器(CCM)结构及其工作原理,在此基础上建立了电子倍增CCD的碰撞电离模型.通过对CCM倍增结构的研究发现实现倍增的三个必要条件:适中的倍增级电场、适当的浅掺杂浓度以及与电子碰撞平均自由程相当的倍增距离.通...
讨论了信号载流子倍增寄存器(CCM)结构及其工作原理,在此基础上建立了电子倍增CCD的碰撞电离模型.通过对CCM倍增结构的研究发现实现倍增的三个必要条件:适中的倍增级电场、适当的浅掺杂浓度以及与电子碰撞平均自由程相当的倍增距离.通过建模研究均匀场强中增益情况表明增益因子为0.01时对应的偏置电压接近EMCCD所用倍增电压.
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关键词
EMCCD
电子倍增
片上增益
静态感应器件
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职称材料
题名
电子倍增CCD倍增要件研究
被引量:
4
1
作者
张灿林
陈钱
尹丽菊
机构
南京理工大学电子信息工程与光电技术学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期2771-2775,共5页
基金
国防基础科研项目(A2620060242)
武器装备预先研究项目(4040508011)资助
文摘
讨论了信号载流子倍增寄存器(CCM)结构及其工作原理,在此基础上建立了电子倍增CCD的碰撞电离模型.通过对CCM倍增结构的研究发现实现倍增的三个必要条件:适中的倍增级电场、适当的浅掺杂浓度以及与电子碰撞平均自由程相当的倍增距离.通过建模研究均匀场强中增益情况表明增益因子为0.01时对应的偏置电压接近EMCCD所用倍增电压.
关键词
EMCCD
电子倍增
片上增益
静态感应器件
Keywords
EMCCD
Electron multiplying
Gain on chip
Static induction transistor
分类号
TN223 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子倍增CCD倍增要件研究
张灿林
陈钱
尹丽菊
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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