老炼对集成电路静态电源电流的影响

为使用户得到更可靠的集成电路产品,老炼是目前最常用和最有效的一种可靠性筛选试验方法。介绍了集成电路老炼的意义和试验方法,通过研究正常CMOS器件和有工艺缺陷的CMOS器件的静态电源电流随老炼时间的变化曲线,经在老炼过程中多次不同时间测试得出的实验数据,可以清楚地发现器件的早期失效情况。经过分析后可以很好地反馈到器件的生产加工过程中,为集成电路的设计、加工和生产提供良好的数据依据,使集成电路加工工艺不断改善和元器件品质不断改进。指出了老炼在集成电路生产过程中的指导作用,是提高集成电路可靠性的有效手段。

清洗在集成电路封装过程中对静态电源电流(IDDSB)的影响

介绍了浸泡清洗、超声清洗和等离子清洗三种主要封装清洗的主要工作机理,及其在封装过程中的重要作用,通过对清洗前后集成电路静态电源电流变化情况的对比分析,研究不同的清洗方法对集成电路静态电源电流(IDDSB)的影响,为提高封装产品性能和封装质量提供数据支撑及理论依据,其对于产品可靠性的提升有着重要的意义。

基于IDDQ测试的VLSI门内电阻式桥接故障仿真

为真实模拟集成电路中的桥接故障并评价测试集质量,提出一种基于静态电源电流(IDDQ)测试的逻辑电路门内电阻式桥接故障仿真算法.首先,针对该故障类型,提出一种覆盖率评价标准;其次,利用电路级故障注入与仿真方法构造基本逻辑门单元的故障字典;最后,通过在逻辑电路功能仿真中查询故障信息实现门级的故障仿真.仿真实验表明:相比于传统方法,所提方法能更好地反映测试集对真实桥接故障的覆盖效果,并具备良好的仿真效能.

晶圆厂转移过程中CMOS工艺可靠性研究

针对半导体行业中常见的集成电路产品在加工期间更换晶圆厂的现象,通过对比原晶圆厂与待转移晶圆厂的加工工艺,对更换前后工艺的差异性进行逐一分析。从衬底材料的电阻率、P管场区阈值的调整方式、P管沟道的调整方式、NSD与PSD的注入顺序、栅氧厚度、ILD原材料、金属布线厚度等方面对晶圆厂转移的成功率进行评估。产品加工完成后,又通过PCM参数及电参数对比分析的方式进行产品参数的差异性确认。分析结果表明,晶圆厂转移后加工的产品参数指标与原工艺线相比略有提升,产品成品率也有所提高,既未影响原用户使用,又降低了加工成本,晶圆厂实现成功转移。