基于IDDQ测试的VLSI门内电阻式桥接故障仿真

为真实模拟集成电路中的桥接故障并评价测试集质量,提出一种基于静态电源电流(IDDQ)测试的逻辑电路门内电阻式桥接故障仿真算法.首先,针对该故障类型,提出一种覆盖率评价标准;其次,利用电路级故障注入与仿真方法构造基本逻辑门单元的故障字典;最后,通过在逻辑电路功能仿真中查询故障信息实现门级的故障仿真.仿真实验表明:相比于传统方法,所提方法能更好地反映测试集对真实桥接故障的覆盖效果,并具备良好的仿真效能.

QTAG:静态电流标准监控器的研究进展

为了准备1995年国际测试会议(ITC),质量测试工作组(QTAG)将要正式通过一个静态电流测试(I_(DDQ))的标准监控器。本文说明了QTAG的背景,描述了该工作组在开发和评估新的电流监控器电路时所面临的挑战。本文还提供了几种可能的解决方案。

CMOS电路电流测试技术研究

集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。CMOS集成电路测试技术,受到人们的广泛关注。本文介绍了CMOS集成电路测试技术基本原理和关键问题,探讨了电流测试的研究进展及现状,并提出了该技术的研究方向。

I_(DDQ)测试技术探讨

本文介绍CMOS电路的静态电流I_(DDQ)测试的有关概念,讨论I_(DDQ)阀值的确定方法和几种测试电路的实现,并对I_(DDQ)测试矢量的产生进行简要评述,指出在深亚微米条件下继续运用I_(DDQ)测试方法的可行性和实现方法。

IDDQ令人费尽心思

当CMOS器件的静态电流(I_(DDQ))测试作为一种几乎必不可少的和十分有价值的测试技术,而引起人们越来越多的注意时,对其应用前景的疑问也随之出现。在1996年IEEE国际测试会议上这两方面都表现得十分明显。 第二届IEEE I_(DDQ)测试研讨会聚集了众多的与会者。但这个会议上,一个名为“在亚微米技术下,I_(DDQ)测试会逐渐消失吗?”的研究小组预测,I_(DDQ)很可能会失去生命力。 导致九十年代后期I_(DDQ)测试升温的因素包括:

系统集成使得I_(DDQ)测试实用化

将EDA(电子设计自动化系统)及ATPG(自动测试图形产生)工具与ATE(自动测试设备)集成在一起,使得I_(DDQ)测试更为实用。

高可靠器件电参数测试覆盖性研究

高可靠器件广泛应用于航空、航天等军用领域,由于使用环境恶劣,性能和可靠性要求更高。但由于器件规定的项目(参数)往往不全,测试条件不能覆盖全部使用状态,经常引起整机质量问题。本文从测试项目、测试条件和测试方法3个方面,以实例分析了高可靠半导体器件电参数测试存在的问题,研究了提高测试覆盖性的方法。采用CMOS静态功耗电流(IDDQ)测试、主载波测试等基于故障测试方法可以提高覆盖率。

用于电源测试的精确压控电流阱

为了检测潜在的电源缺陷,必须进行动态和静态测试。这里的简单电流阱可测试低到中功率电源和恒压源。在该应用中,在输入电压范围为0V～5V,电源电压最高为20V时,电流阱可吸收0A～1.5A的电流。该电路的基本部件为一个精密运放IC1，采用Texas Instruments的OPA277。该器件特点为：最大输入偏置电压仅为100μV，最大输入偏置电流为4nA，在-40℃-＋85℃温度范围内温漂较低（图1）。运放IC将其正输入电压与检测电阻RSENSE上的电压进行比较。