缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响

采用直流磁控溅射法沉积了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列样品。通过振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等检测手段研究了Ta缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜交换偏置场、矫顽力的影响。VSM测试结果表明,交换偏置场He随Ta缓冲层厚度增加而增大,矫顽力Hc随随Ta缓冲层厚度增加有减小的趋势。通过AFM检测了不同厚度Ta缓冲层上生长的NiFe层表面均方根粗糙度,发现其随Ta缓冲层厚度的增加而减小,表明NiFe/FeMn界面变得更加均匀,这导致了较大的He和较小的Hc。另外,通过XRD分析,发现随着Ta层厚度的增加Ta由非晶态转化为结晶状态并先后显示出Ta(300)、Ta(200)取向,表明随着Ta缓冲层厚度增加,其织构转变也可能会导致静态磁性的变化。

聚二甲基硅氧烷基Fe_(10)Co_(90)褶皱薄膜表面形貌与静态磁性能

以施加20%的单轴拉伸预应变的超弹性聚二甲基硅氧烷(PDMS)为基(衬)底,采用磁控溅射方法制备Ta缓冲层和Fe_(10)Co_(90)(FeCo)磁性薄膜。衬底预应变释放后,样品表现出周期性褶皱形貌。采用原子力显微镜、振动样品磁强计对FeCo样品的表面形貌和室温静态磁性进行表征,研究了其磁各向异性与表面形貌、机械拉伸应变的依赖关系。样品表面周期性褶皱形貌的波长、起伏度以及样品的单轴磁各向异性均随薄膜厚度的增大而增大。由于表面褶皱结构的应变释放作用,机械拉伸应变的施加基本不改变薄膜的磁各向异性,为制备保持性能不变的柔性磁电子器件提供一种有效的思路。

NiFe层溅射气压对顶部钉扎NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响

用直流磁控溅射制备了系列Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜样品。利用振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)等手段研究了溅射气压对NiFe层交换偏置场、矫顽力、截止温度的影响。结果表明,交换偏置场随NiFe层溅射气压和NiFe层厚度的增加均减小;在较低的NiFe层溅射气压下,可以获得具有较高交换偏置场He和较低矫顽力Hc的样品;截止温度Tb随着NiFe层溅射气压的减小而增高。通过对比研究0.8Pa、0.4Pa、0.2PaNiFe层溅射气压下NiFe/FeMn薄膜的静态磁性及微结构变化,发现以上现象是由于在较低的溅射气压能够获得较好织构的NiFe(111),进而诱导出较好取向的FeMn(111)。取向良好的NiFe/FeMn薄膜产生较大的交换偏置场和较小的矫顽力及更高的截止温度。

放电等离子烧结Bi、Ce掺杂钇铁石榴石陶瓷的微观结构与磁性能

钇铁石榴石(Y_(3)Fe_(5)O_(12),YIG)是一种立方晶体结构的软磁铁氧体材料。YIG具有法拉第效应、低的铁磁共振线宽,在微波磁光领域具有广阔的应用前景。采用球磨法,通过预烧成功制备Y_(2.6-x)Bi_(0.4)Ce_(x)Fe_(5)O_(12)(x=0.1,0.2)粉末,再利用放电等离子烧结(SPS)将其在较低温度下制备成陶瓷。采用X射线衍射仪对陶瓷表面和内层进行了物相分析,采用扫描电子显微镜对粉体和陶瓷形貌进行观察,采用振动样品磁强计对样品进行了静态磁性能测试。实验结果表明,由于Bi元素的掺入,预烧温度降低到1050℃。利用放电等离子烧结方法,在1050℃、60 MPa、保温4 min条件下制备出孔洞少、表观密度为5.3585 g/cm^(3)和5.4469 g/cm^(3)的Bi,Ce-YIG陶瓷,实现了Bi,Ce-YIG陶瓷的低温快速烧结。Ce的掺入提高了Y_(2.6-x)Bi_(0.4)Ce_(x)Fe_(5)O_(12)(x=0.1,0.2)粉末陶瓷的饱和磁化强度(分别为23.01 emu/g、25.96 emu/g),有利于磁光器件的小型化。Bi,Ce-YIG陶瓷的铁磁共振线宽最低为140.5 Oe,有利于器件在微波应用中的低损耗。

玻璃盘基对高密度硬盘介质静态磁性参数测量的影响和消除方法

高密度硬盘介质静态磁性参数的精确测量对研制高密度硬盘至关重要。本文从测量系统和材料两方面对玻璃基噪声的影响机理做了较详尽的分析;并介绍了消除玻璃基噪声影响的四种方法,这四种方法在测量同一硬盘介质静态磁性参数时相对偏差小于5%,因此这四种方法都是切实可行的。

纳米晶FeCoSiBNbCu合金的静态磁性研究

采用单辊熔体急冷法制备了非晶Fe39.4-xCo40Si9B9Nb2.6Cux合金薄带,在不同温度退火后得到双相纳米晶合金。研究了纳米晶合金的静态磁性随退火温度的变化,结果表明490℃退火后可以得到最优的静态性能;研究了Cu含量对合金性能的影响,结果表明随Cu含量的增加,纳米晶合金晶粒尺寸得到有效细化,使得其静态磁性更加优良。

浅谈静态磁性参数测试

论述了静态磁性参数测试的基本原理、测试范围,着重介绍了测试方法和工作原理、工作程序及磁性测量的精度分析。

YIG磁性薄膜低温集成工艺

为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜.讨论了Sol-Gel工艺薄膜制备条件的优化,使用原子力显微镜(AFM),X射线衍射仪(XRD)和交变梯度磁强计(AGM)研究了RTP工艺对薄膜样品表面形貌、晶相结构及静态磁性能的影响.结果显示:Sol-Gel技术有效降低了薄膜晶化温度,RTP热处理工艺对Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜结晶温度、晶相结构没有影响,对表面形貌影响较大,从而使薄膜静态磁性能略有降低,但通过低温退火可有效改善RTP工艺对薄膜磁性能的影响.

舰艇动态磁性检测方法

本文介绍了舰艇磁性检测方法分类、国内外研究现状,对比分析了舰艇磁性检测两种模式:动态磁性检测和静态磁性检测,重点讲述了动态磁性检测方法。

低损耗ZrO_(2)@CIPs核壳型软磁复合粉体制备及磁感应性能研究

利用正丁醇锆(TBOZ)溶液对羰基铁粉(CIPs)进行了表面改性处理。通过调整原料中TBOZ的添加量,合成了3组不同锆含量的二氧化锆包覆羰基铁粉(ZrO_(2)@CIPs)复合材料。分析了CIPs和ZrO_(2)@CIPs复合材料的静态磁性能以及绝缘性能,结果表明,使用温度提高至200℃时,ZrO_(2)的存在能有效抑制CIPs的氧化所导致的静态磁性恶化;且ZrO_(2)@CIPs复合材料的电阻率得到大幅度提升。比较包覆前后CIPs的磁损耗能力的变化,发现随着原料TBOZ添加量的增加,ZrO_(2)@CIPs复合材料降低磁损耗的能力增强,直流偏置特性提高。当TBOZ添加量为15.57 mL时,在频率为1 MHz时,ZrO_(2)@CIPs磁导率虚部仅为0.05,品质因数为116.7,饱和电流达到17.10 A。而且相较于CIPs的-0.91 V,ZrO_(2)@CIPs的腐蚀电位提高至-0.33 V,这无疑提高了传统CIPs的耐腐蚀性。总的来说,上述实验结果为电感领域内传统CIPs的改性处理提供了技术方案参考。

Sol-gel法制备NiZnCu铁氧体性能的研究

采用溶胶-凝胶自燃法制备了Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4铁氧体,使用HP4191A阻抗分析仪测试了材料高频磁谱;结合快速热处理(RTP)工艺制备了Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4磁性薄膜,使用AFM、XRD、AGM系统地研究了制备工艺对薄膜样品表面形貌、晶相结构和准静态磁性的影响。测试结果表明:Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4可适用于射频领域,截止频率fr在1GHz以上,1GHz处起始磁导率μ′=5.3,μ″=3.45;sol-gel法制备磁性薄膜最佳晶化温度为600℃左右,在此温度下制备的薄膜晶粒大小为13nm左右,饱和磁化强度Ms=2.29×105A/m,矫顽力Hc=1.24×103A/m。

带厚对FeCuNbSiB纳米晶铁芯性能的影响

采用标称成分为Fe73.5Cu1Nb3Si15.5B7(原子百分数)、带厚分别为18μm、22μm和26μm的带材制成环形铁芯,经过560℃保温1h热处理后测试其性能,发现铁芯损耗随带材厚度的减小而降低,实验中用18μm和22μm厚带材制备的铁芯与在共模电感方面处于国际领先地位的VAC公司生产的同规格铁芯在电感、阻抗、直流性能、损耗等性能相比,达到了同一水平,其中18μm厚带材制备的铁芯比VAC公司铁芯高频初始磁导率高、损耗低。

精矿粉^1制备高Bs低功耗软磁Mn—Zn铁氧体的配方工艺研究

叙述了用精矿粉代替铁红制备高Bs低功耗软磁Mn -Zn铁氧体配方和烧结工艺的研究结果 ,得出了最佳配方和最佳烧结温度 ,实验结果表明 :用精矿粉可以代替Fe2 O3