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氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理
被引量:
3
1
作者
张燕
刘玉岭
+2 位作者
王辰伟
闫辰奇
邓海文
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第11期737-740,共4页
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再...
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。
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关键词
去除速率
硅通孔化学机械抛光(TSV
CMP)
开路
电位
静态腐蚀电位
钝化作用
氧化剂
下载PDF
职称材料
题名
氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理
被引量:
3
1
作者
张燕
刘玉岭
王辰伟
闫辰奇
邓海文
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第11期737-740,共4页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)
河北省教育厅项目(QN2014208)
文摘
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。
关键词
去除速率
硅通孔化学机械抛光(TSV
CMP)
开路
电位
静态腐蚀电位
钝化作用
氧化剂
Keywords
removal rate
through silicon via chemical mechanical polishing(TSV CMP)
open circuit potential
static corrosion potential
passivation
oxidant
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理
张燕
刘玉岭
王辰伟
闫辰奇
邓海文
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015
3
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职称材料
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参考文献
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