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基于SRAM乒乓操作的数据采集系统的设计
被引量:
9
1
作者
李芮
李晓
+1 位作者
王志斌
王国梁
《济南大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2015年第2期120-124,共5页
为提高近红外焦平面阵列探测器采集数据过程中图像数据的完整性及数据的采集传输速度,选用具有特殊并行处理方式的FPGA作为核心控制模块,运用两片SRAM作为数据缓冲模块,通过输入数据选择模块和输出数据选择模块的相互配合,将经过缓冲的...
为提高近红外焦平面阵列探测器采集数据过程中图像数据的完整性及数据的采集传输速度,选用具有特殊并行处理方式的FPGA作为核心控制模块,运用两片SRAM作为数据缓冲模块,通过输入数据选择模块和输出数据选择模块的相互配合,将经过缓冲的数据流没有时间停顿地送到运算处理单元。仿真及实验结果表明,双SRAM乒乓操作技巧的使用,极大地提高了数据的缓存速度,实现了数据的无缝处理与传输。
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关键词
成像系统
阵列探测器
静态随机存储器乒乓操作
现场可编程门阵列
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职称材料
Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器
2
《电子产品世界》
2005年第08B期32-32,共1页
Ramtron国际公司(Ramtron International)宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏,采用32引脚TSOP(薄型小尺寸封装)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步...
Ramtron国际公司(Ramtron International)宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏,采用32引脚TSOP(薄型小尺寸封装)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步静态随机存储器(Standard asynchronous SRAM)。同时,该型号还特别适用电压多样或者电压可能突然消失的存储数据系统,如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。
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关键词
铁电
存储器
1兆位
SRAM
可替代
静态
随机
存储器
操作
电压
远程信息处理
尺寸封装
数据系统
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职称材料
Ramtron发布可替代SRAM的1兆位铁电存储器(FRAM)
3
《电子与电脑》
2005年第7期49-49,共1页
关键词
铁电
存储器
SRAM
1兆位
可替代
静态
随机
存储器
发布
远程信息处理
small
非易失性
操作
电压
读写
操作
数据系统
工业应用
供应商
型号
机顶盒
异步
丢失
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职称材料
基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
4
作者
李二亮
张立军
+3 位作者
李有忠
张其笑
姜伟
胡玉青
《电子设计工程》
2015年第9期8-11,共4页
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺...
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下,对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流,从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响,提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺,对上述读操作跟踪电路进行了仿真,并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较,仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。
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关键词
静态
随机
存取
存储器
工艺拐点补偿
温度补偿
读
操作
跟踪电路
蒙特卡罗
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职称材料
基于CPLD的LCOS场序彩色视频控制器设计
被引量:
1
5
作者
宋丹娜
代永平
+1 位作者
刘艳艳
商广辉
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期541-546,共6页
针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的...
针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的红、绿、蓝视频数据转换为红、绿、蓝子场数据,从而实现场序彩色显示。设计中采用了降低刷新频率的技术,降低了系统功耗。最后运用EDA工具进行了综合仿真。
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关键词
场序彩色显示
复杂可编程逻辑器件
静态
随机
存取
存储器
乒乓
操作
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职称材料
工业打印系统数据通道设计
被引量:
1
6
作者
俞丛晴
占红武
梅灿华
《轻工机械》
CAS
2013年第3期69-71,74,共4页
为了搭建研究可变数据印刷所需的硬件平台,设计了一种新型的数字印刷系统。该设计主要通过ARM作为上位机跟用户交流,并把处理后的数据发送给FPGA,再由FPGA对数据进行缓存处理,并把数据以喷头所需的特定时序发送给XJ500喷头进行打印。其...
为了搭建研究可变数据印刷所需的硬件平台,设计了一种新型的数字印刷系统。该设计主要通过ARM作为上位机跟用户交流,并把处理后的数据发送给FPGA,再由FPGA对数据进行缓存处理,并把数据以喷头所需的特定时序发送给XJ500喷头进行打印。其中数据缓冲部分使用了两片SDRAM作为缓冲,采取乒乓的方法可以同时对每片SDRAM进行读写,这样大大加快了数据的传输速度,由于使用了SDRAM,所以成本低缓冲容量大。最终做出了能稳定喷印数据的样机证明这个设计合理可行。
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关键词
数字印刷
乒乓
操作
可编程逻辑门阵列
同步
随机
动态
存储器
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职称材料
一种应用于低功耗SRAM的新型预充电策略(英文)
7
作者
陈淑玉
闫伟伟
曾晓洋
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期455-459,共5页
针对传统预充电技术在SRAM每次读操作前都要进行预充电的方式,提出了一种新型的SRAM间歇式预充电技术,即只在位线电压较低时才充电的策略.该技术在面积不变的前提下降低了SRAM的读功耗,并且成功应用于8 KB 4路组相连cache中.为了精确验...
针对传统预充电技术在SRAM每次读操作前都要进行预充电的方式,提出了一种新型的SRAM间歇式预充电技术,即只在位线电压较低时才充电的策略.该技术在面积不变的前提下降低了SRAM的读功耗,并且成功应用于8 KB 4路组相连cache中.为了精确验证该技术,将cache中的tag部分21×128 bit SRAM阵列及外围电路,分别采用传统预充电技术和该预充电技术进行单独仿真.Hspice的仿真结果表明,在SMIC0.18μm工艺下,工作频率为250 MHz,电源电压为1.8 V时,该技术在连续读操作过程中可以在保证读出结果正确的前提下,比传统方式节省大约24.4%的读功耗.
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关键词
静态
随机
存储器
预充电电路
低功耗
读
操作
原文传递
题名
基于SRAM乒乓操作的数据采集系统的设计
被引量:
9
1
作者
李芮
李晓
王志斌
王国梁
机构
中北大学山西省光电信息与仪器工程技术研究中心
中北大学计算机与控制工程学院
中北大学信息与通信工程学院
出处
《济南大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2015年第2期120-124,共5页
基金
国家自然科学基金(61127015)
国际科技合作项目(2013DFR10150)
文摘
为提高近红外焦平面阵列探测器采集数据过程中图像数据的完整性及数据的采集传输速度,选用具有特殊并行处理方式的FPGA作为核心控制模块,运用两片SRAM作为数据缓冲模块,通过输入数据选择模块和输出数据选择模块的相互配合,将经过缓冲的数据流没有时间停顿地送到运算处理单元。仿真及实验结果表明,双SRAM乒乓操作技巧的使用,极大地提高了数据的缓存速度,实现了数据的无缝处理与传输。
关键词
成像系统
阵列探测器
静态随机存储器乒乓操作
现场可编程门阵列
Keywords
imaging system
array detector
SRAM ping-pong operation
FPGA
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器
2
出处
《电子产品世界》
2005年第08B期32-32,共1页
文摘
Ramtron国际公司(Ramtron International)宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏,采用32引脚TSOP(薄型小尺寸封装)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步静态随机存储器(Standard asynchronous SRAM)。同时,该型号还特别适用电压多样或者电压可能突然消失的存储数据系统,如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。
关键词
铁电
存储器
1兆位
SRAM
可替代
静态
随机
存储器
操作
电压
远程信息处理
尺寸封装
数据系统
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
Ramtron发布可替代SRAM的1兆位铁电存储器(FRAM)
3
出处
《电子与电脑》
2005年第7期49-49,共1页
关键词
铁电
存储器
SRAM
1兆位
可替代
静态
随机
存储器
发布
远程信息处理
small
非易失性
操作
电压
读写
操作
数据系统
工业应用
供应商
型号
机顶盒
异步
丢失
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
4
作者
李二亮
张立军
李有忠
张其笑
姜伟
胡玉青
机构
苏州大学城市轨道交通学院
出处
《电子设计工程》
2015年第9期8-11,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61272105)
文摘
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下,对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流,从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响,提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺,对上述读操作跟踪电路进行了仿真,并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较,仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。
关键词
静态
随机
存取
存储器
工艺拐点补偿
温度补偿
读
操作
跟踪电路
蒙特卡罗
Keywords
SRAM
corner compensation
temperature compensation
read tracking circuit
monte carlo
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于CPLD的LCOS场序彩色视频控制器设计
被引量:
1
5
作者
宋丹娜
代永平
刘艳艳
商广辉
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学)
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期541-546,共6页
基金
天津市自然科学基金资助项目(No.033600711)
天津市科委攻关项目(No.033187011)
文摘
针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓操作思想协调两片外部静态随机存取存储器(SRAM)对信号进行读写,对数据进行了串并转换,将并行输入的红、绿、蓝视频数据转换为红、绿、蓝子场数据,从而实现场序彩色显示。设计中采用了降低刷新频率的技术,降低了系统功耗。最后运用EDA工具进行了综合仿真。
关键词
场序彩色显示
复杂可编程逻辑器件
静态
随机
存取
存储器
乒乓
操作
Keywords
field-sequential-color
CPLD
SRAM
Ping-Pong operation
分类号
TN27 [电子电信—物理电子学]
TP331.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
工业打印系统数据通道设计
被引量:
1
6
作者
俞丛晴
占红武
梅灿华
机构
特种装备制造与先进加工技术教育部/浙江省重点实验室(浙江工业大学)
出处
《轻工机械》
CAS
2013年第3期69-71,74,共4页
基金
浙江省重大科技专项(2010C11021)
浙江省教育厅科研项目(Y201018534)
文摘
为了搭建研究可变数据印刷所需的硬件平台,设计了一种新型的数字印刷系统。该设计主要通过ARM作为上位机跟用户交流,并把处理后的数据发送给FPGA,再由FPGA对数据进行缓存处理,并把数据以喷头所需的特定时序发送给XJ500喷头进行打印。其中数据缓冲部分使用了两片SDRAM作为缓冲,采取乒乓的方法可以同时对每片SDRAM进行读写,这样大大加快了数据的传输速度,由于使用了SDRAM,所以成本低缓冲容量大。最终做出了能稳定喷印数据的样机证明这个设计合理可行。
关键词
数字印刷
乒乓
操作
可编程逻辑门阵列
同步
随机
动态
存储器
Keywords
digital printing
ping-pong operation
field-programmable gate array (FPGA)
synchronous dynamicrandom access memory (SDRAM)
分类号
TS865 [轻工技术与工程]
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职称材料
题名
一种应用于低功耗SRAM的新型预充电策略(英文)
7
作者
陈淑玉
闫伟伟
曾晓洋
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期455-459,共5页
文摘
针对传统预充电技术在SRAM每次读操作前都要进行预充电的方式,提出了一种新型的SRAM间歇式预充电技术,即只在位线电压较低时才充电的策略.该技术在面积不变的前提下降低了SRAM的读功耗,并且成功应用于8 KB 4路组相连cache中.为了精确验证该技术,将cache中的tag部分21×128 bit SRAM阵列及外围电路,分别采用传统预充电技术和该预充电技术进行单独仿真.Hspice的仿真结果表明,在SMIC0.18μm工艺下,工作频率为250 MHz,电源电压为1.8 V时,该技术在连续读操作过程中可以在保证读出结果正确的前提下,比传统方式节省大约24.4%的读功耗.
关键词
静态
随机
存储器
预充电电路
低功耗
读
操作
Keywords
SRAM
pre-charge circuit
low power
read operation.
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SRAM乒乓操作的数据采集系统的设计
李芮
李晓
王志斌
王国梁
《济南大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2015
9
下载PDF
职称材料
2
Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器
《电子产品世界》
2005
0
下载PDF
职称材料
3
Ramtron发布可替代SRAM的1兆位铁电存储器(FRAM)
《电子与电脑》
2005
0
下载PDF
职称材料
4
基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
李二亮
张立军
李有忠
张其笑
姜伟
胡玉青
《电子设计工程》
2015
0
下载PDF
职称材料
5
基于CPLD的LCOS场序彩色视频控制器设计
宋丹娜
代永平
刘艳艳
商广辉
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
6
工业打印系统数据通道设计
俞丛晴
占红武
梅灿华
《轻工机械》
CAS
2013
1
下载PDF
职称材料
7
一种应用于低功耗SRAM的新型预充电策略(英文)
陈淑玉
闫伟伟
曾晓洋
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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