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一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
1
作者
瞿小峰
陆科杰
+1 位作者
栗成智
隋文泉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期59-63,共5页
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。
关键词
砷化镓异质结双极晶体管
静态预分频器
D触发
器
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职称材料
题名
一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
1
作者
瞿小峰
陆科杰
栗成智
隋文泉
机构
浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期59-63,共5页
文摘
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。
关键词
砷化镓异质结双极晶体管
静态预分频器
D触发
器
Keywords
GaAs HBT
static prescaler
D flip-flop
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN772 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
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1
一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
瞿小峰
陆科杰
栗成智
隋文泉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
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