氯乙烯表面静电势和静电势极值点的展示:推荐一个计算化学基础实验

预测卤代烯烃的亲核和亲电反应位点是重要的有机化学基本理论。静电势及其极值点是传统实验无法观测的物理量,对揭示分子间静电相互作用、反应位点等方面具有重要意义。基于M062X/def2-TZVP水平上优化的氯乙烯结构,用Multiwfn 3.8 (dev)和VMD 1.9.2绘制了分子表面静电势平面填色图并展示了静电势极值点,预测了亲核反应和亲电反应优先发生的位点,证实了与Cl原子相邻的H原子附近为静电势极大值点(96.65 kJ/mol),更容易被亲核试剂进攻。本实验不依赖仪器和药品,成本低廉,操作简便且易于重复。

集成电容式传感器边界电极的静电电容值分析

本文研究一种梳齿电极结构的集成电容式传感器,利用保角变换对其边界电极的静电电容值情况进行推导,给出了边界电极电容值的解析表达式,并利用Ansys软件对其进行仿真验证.结果显示解析公式得到的计算结果和软件仿真结果相吻合,说明得到的公式具有高的精度.利用所给的解析表达式可以为设计和应用该结构电容式传感器提供更好的理论基础.

静电场边值问题的矩量法解

本文采用修正格林函数积分方程的矩量法数值解技术求解静电场边值问题。这种方法具有较边界积分法积分域小的特点,不仅有高的计算效率和精度,尤其适用于有无限延伸导体边界的边值问题。本文着重讨论与传输线问题等效的边值问题,这是典型的二维静电场问题,对高频和微波技术有重要的实用价值。本文方法也适用于三维静电场问题和交变电磁场问题。

积分变换法在求解静电场边值问题中的应用

静电场边值问题一般采用直接积分法、分离变量法、镜像法等常规方法求解析解。本文基于积分变换法求解微分方程的思想,运用傅里叶变换等积分变换方法,得出在一定条件下采用积分变换法求解静电场边值问题具有可行性和简便性,为求解相似问题探索出一条新的途径。

多功能静电植绒粘合剂的制备

该法采用水为溶剂，以多元丙烯酸酯混合物为主要原料，在乳化剂、引发剂的存在下，控制一定温度，进行乳液聚合反应，经测定合格便为多功能静电植绒粘合剂。

高压静电场与残膜吸附高度的相关性研究

自大田生产使用地膜开始,残留地膜的回收一直是个难题。针对这一问题,研究了高压静电场对残留地膜吸附的影响,即在电场力作用下,残留地膜将会沿电场的方向移动产生静电吸附现象。而后,将吸附残膜的高度和吸附所需的最大静电电压值的关系进行回归分析,并合理地预测模型;在MATLAB下进行曲线拟合。最后,得出二者之间的函数关系式,为准确地预测在不同高度下对残留地膜的吸附所需要的电压提供了有利的数据。

带电导体球与介质锥静电问题解及推广应用

用静电边值问题解法导出了带电导体球与介质锥(锥形筒)静电问题解,并将其结果推广应用于多介质锥、多介质锥形筒或二者混合的问题中,得出有实际意义的广泛结论.

分离圆柱面与偏心圆柱面静电场问题的镜象解

基于静电场的叠加原理和唯一性定理,用镜象法求解由两圆柱导体所组成的分离圆柱面与偏心圆柱面静电场边值问题,推导出分离圆柱面与偏心圆柱面静电场边值问题的解析解.

专用弹药集装箱的静电剖析

通过对海军专用弹药集装箱运输试验中的静电测量和剖析,阐述弹药在运输过程中产生静电的原因,证实了弹药在运输过程中的危险性。随着大量高阻抗的材料用于弹药包装,给弹药在流通过程中的安全带来了新的问题,所以对弹药和火工品的包装要采取有效的防静电措施。

织物感应静电的高压测量法

本文从测量仪器的原理和使用方法方面介绍静电值、半值时间的测量方法和所采取的技术路线 ,对感应式静电仪进行了较为深入的探讨。

基于移动相似中心的比例边界有限元方法

在传统的比例边界有限元中,相似中心是固定的,难以用其求解关于偏心域的场问题。本文引入移动相似中心的概念,建立新的比例边界坐标变换,并利用加权余量法将控制方程半弱化为关于径向坐标的二阶常微分方程,引入对偶变量,将其降为系数矩阵为Hamilton矩阵的一阶常微分方程。对Hamilton矩阵进行Schur分解,得到微分方程的通解,代入边值条件可得关于积分常数的代数方程。此方法将比例边界有限元扩展到偏心域的边值问题,同时在径向是半解析的,解的精度高;仅需要离散求解域的一个边界,数据量小;在计算中仅需要对Hamilton矩阵进行Schur分解以及求解关于积分常数的代数方程,运算量少。将偏心环形域静电场边值问题的算例与解析解或其他数值方法计算结果的比较,表明此方法具有精度高、数据量小及运算量小的优点。

浅谈喷涂机器人工艺缺陷产生与处理方法

介绍了涂装机器人的仿型制作方法,如主、子程序的设定,仿形程序设置和坐标系选定及其坐标轴的含义等,对涂装机器人工艺参数的设置进行了论述,包括雾化器的静电高压值、成型空气量、计量泵出漆量和空气轴承转速的控制、参数的过载百分比、喷涂位置的仿型和喷涂参数设定等,分析了涂装机器人喷涂产生缩孔的原因。