一台AMS的静电偏转器

文章描述一台静电偏转器的设计、结构和调试。静电偏转器的角度为15°,曲率半径360cm,两板面距离3cm。两板正负电压已达到+92.4 kV和-80kV,电场梯度为57.5kV/cm。该静电偏转器用作加速器质谱计(AMS)的能量分析。

DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计

基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高。采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布。高精度的场分布有利于高级像差。为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差。动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2nm;偏转场大小为1mm×1mm时,束斑分辨率约为29.8nm。结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求。

自旋极化电子源装置研究

自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途,目前国际上普遍采用光电离GaAs晶体产生自旋极化电子。本文介绍自旋极化电子产生的原理及一种设计简洁、结构简单的极化电子源装置。该十字型四通道装置内有一非常简单的900静电偏转器,新型的用于固定晶片的弹簧夹子可保证晶片加热均匀。用波长780nm圆偏振激光激活GaAs光电阴极可以产生极化电子,然后通过900静电偏转器及一组静电透镜将极化电子引到反应区。

高速扫描技术的研究

文章对微细加工技术中电子束曝光机的高速扫描技术进行了研究和探讨,对静电偏转和电磁偏转进行了比技.并对研制成功的电极共用式八极静电偏转器作了详细的介绍.