高性能真空静电封接机的设计与实现

以DPFJ-Ⅳ型静电封接机为基础,通过对真空技术、加热技术、自动化技术以及封接工艺的不断探索,研制出一款高性能真空静电封接机。主要介绍了该高性能真空静电封接机的设计原理、主要技术性能以及结构特点。结果发现,该设备具备真空度更高、温度调节范围更宽、加热更均匀等特点,同时可实现硅片自动封接。测试发现,该设备可以提高生产效率和生产质量。

硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用

对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效。文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题。该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值。

双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用

硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进行了分析,确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题又简化了工艺步骤,适合现阶段大规模生产的需求。

常温静电封接技术的研究与实验尝试

根据静电封接的机理，配制了一种低温玻璃作为封接材料，初步完成了常温下的静电封接实验。

DFJ-Ⅲ 型双面真空静电封接机的研究

真空静电封接机是硅压阻式传感器制造技术中的关键设备之一。它可实现硅压阻芯片的无应力、无蠕变封装，以保证硅压阻式传感器特有的高灵敏度、高精度特性。本文介绍了新近研制成的ＤＦＪ－Ⅲ型双面真空静电封接机的主要技术指标、封接机理、结构特点以及解决的主要关键技术。同时给出了用该设备封接的元件的性能测试指标。

硅与玻璃静电封接机理的研究

本文利用板壳理论,分析在硅与玻璃静电封接时,硅与玻璃界面间的静电力与硅片弯曲应力的关系;推导出封接成功的条件,即界面间距d与电压V,刚度D,挠度ω等的关系,并进行了实验验证。

静电封接技术概述

叙述静电封接技术的用途、机理、实验与理论分析、工艺条件和工艺参数等。

一种简单的静电封接技术

本文论述了静电封接技术的基本原理及其在半导体压力传感器生产中的应用.主要介绍一种简单而廉价的静电封接装置及操作工艺和一些实验结果.这种封接技术不用其它任何粘合剂,将硅与玻璃相接触进行静电封接,形成的硅-玻璃组合体是一种刚性结构.封接时所选用的玻璃的热膨胀系数应与硅的热膨胀系数相接近(Si:2.5×10^(-6)/ k,~#7740 Pyrex glass:3.25×10^(-6)/k),例如:九五料玻璃,派雷克斯玻璃均能获得好的封接效果.静电封接技术的特点是:芯片反刻铝引线不会被氧化(封接时温度在400℃左右),封接牢固、迅速、气密性好,不产生蠕变,能耐高温,耐潮湿,稳定性好.

静电封接中的热应力研究

通过对静电封接结构的受力分析，建立了静电封接后弹性膜片的热失配应力数学模型。并分析了改善微压传感器性能的技术途径。

力敏元件的静电封接原理与工艺

静电与传感器及敏感元件,虽表示完全不同的概念,却有着某种内在联系。在电子仪表工业中,静电的影响和危害都是很大的。它是场效应管、集成电路、其它有源器件、磁敏元件、软盘与计算机及部分传感器的大敌。但根据静电产生。

静电封接在压力传感器生产中的应用

静电既有危害,也能应用。本文介绍了静电封接在压力传感器生产中的应用,分析了原理,介绍了土艺、制备和新的封接方法,对提高产品质量具有现实意叉。

静电封接与硅杯腐蚀的新技术

论述硅与玻璃真空静电封接的工作原理、实验方法以及形成硅杯的各向异性腐蚀技术．

真空静电封接过程与分析

叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静电封接的类电容器结构的新模型 .

双面静电封装工艺的初步研究

叙述了采用ＤＦＪ－Ⅲ型静电封接机进行玻璃－硅－玻璃三层静电封接的工艺方法和典型工艺参数，重点分析了洁净程度、封接温度，封接电压等工艺参数对封接成功率的影响，并提出了在该设备上实现双面静电封接的改进方案。

硅压力传感器的新技术

在研制压阻式扩散硅压力传感器中，除了采用常规的平面工艺以外，还需要几项特殊的、重要的新技术、新工艺，简要地论述真空静电封接技术、异向蚀刻技术以及减少层错的三氯乙烯氧化工艺等．