纤维素结晶度对纸张静电感应性能影响的研究

纤维素的晶体结构、结晶度对纤维材料介电性能有很大影响,直接影响纤维素材料静电感应性能。本研究以竹浆纤维为原材料,通过不同的热压条件控制纤维素结晶度,利用XRD、FTIR、静电计等手段,对循环处理后纤维素的结晶度、分子结构变化、电学性能等进行分析,探究纤维素结晶度与纸张抗张指数、纤维电学性能之间的关系。结果表明,竹浆纤维纸张的抗张指数随其结晶度的升高略有降低,而静电感应性能有上升趋势。

发现式学习理念视域下的高中物理教学设计--以“电荷中静电感应”为例

新课程改革以来,课堂的教学模式也在发生转变。将物理教学与学习理念相互融合,在其中不断渗透物理学科核心素养,推动其在物理教学中“开花结果”是当前重要的课题。以人教版普通高中物理教科书“电荷中静电感应”为例,应用发现式学习理论进行教学设计,通过创设问题情境、探究规律等具体操作环节,提升学生的物理学科核心素养。

静电感应法在线测量煤粉速度

火力发电厂输煤管道中煤粉要以稳定、合适的速度运动,机组才能达到最佳的发电效率。为提高锅炉煤粉的燃烧效率,确保锅炉的经济安全运行,采用静电感应法对一次风输煤管道煤粉速度进行在线测量,相对偏差在3%以内,为各燃烧器的给粉均匀性提供指导,有利于降低污染物排放。

大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管

为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。

1000kV皖南—浙北特高压交流线路静电感应电压分析

为合理选择特高压交流线路参数测试设备,确保测试人员和试验设备安全;同时为有效开展测试结果的干扰分析,有必要分析1 000 kV特高压交流线路上的静电感应电压。调查了1 000 kV皖电东送特高压交流输电线路皖南—浙北段邻近±800 kV、±500 kV直流线路分布情况,分析了±800 kV、±500 kV直流线路在特高压交流线路上产生静电耦合电压的影响因素,仿真计算得到了邻近直流线路在1 000 kV特高压同塔双回线路上产生的感应电压。结果表明：皖南—浙北段特高压交流输电线路平行于多条±800 kV、±500 kV直流线路。邻近直流线路单极运行时,特高压交流线路上的感应电压为8~70 kV,明显高于双极运行时的感应电压0.5~10 kV。邻近直流线路单极运行时,随着接近距离的增加,特高压交流线路上感应电压的减小速率很缓慢,明显小于双极运行情况;最近距离由50 m增加至200 m时,单极运行工况下的感应电压减小约10%,而双极运行工况下的感应电压几乎减小至0。由于不同相别导线的位置差异,各相导线上的感应电压值存在明显差异;邻近直流线路单极运行时,不同相别导线感应电压的最大值、最小值相差4~7倍。研究结果为1 000 kV同塔双回线路参数现场测试提供了重要参考。

考虑雨天的直流±800 kV与交流500 kV并行输电线路3维混合电场及静电感应分析

为了确认雨天时直流±800 kV与交流500 kV并行输电线路下方的混合电场对人体的影响,结合3维优化模拟电荷法与Deutsch假设,考虑雨天环境,计算了直流±800 kV与交流500 kV并行输电线路下方的3维标称电场和离子流场,并通过Matlab最终计算得到混合电场。计算结果表明,雨天近地面的电场分布呈波浪状。雨天对电场具有部分屏蔽作用,且随着降雨强度的增大,屏蔽作用越强。人撑伞站立在雨中,头顶附近的电场发生畸变,但是人体表面感应电流密度与感应电流基本都在INCIRP所规定的安全范围之内,因此不会对人体造成伤害。

静电感应晶闸管（SITH）的理论分析

首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。

静电感应器件栅源击穿特性的改善

对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。结果表明：当使用高阻单晶材料（ＮＤ＝１×１０１４ｃｍ－３）作为芯片的衬底和沟道，沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高（Ｎｅｐｉ＞１×１０１６ｃｍ－３）时，器件的击穿电压ＢＶｇｓ０基本上局限在１０Ｖ以下，与外延层的厚度没有明显关系。作者指出，静电感应器件栅源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区与沟道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同决定的。在这种情况下，栅源击穿电压ＢＶｇｓ０与半导体的击穿电场Ｅｂ和沟道宽度Ｗ的关系可表示为ＢＶｇｓ０＝１／２ＥｂＷ。提高ＢＶｇｄ０的有效途径应是尽可能地使外延层的掺杂浓度和沟道（衬底）的掺杂浓度相接近。

硅-硅直接键合制造静电感应器件

静电感应器件(StaticInductionDevice,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题。用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构——键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGK。通过SITH器件的研制,证明了键合掩埋栅结构能够提高VGK和整个器件的电学性能。

静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究

对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.

复合结构的静电感应器件

复合结构的静电感应器件李思渊，刘肃，刘瑞喜，杨建红（兰州大学）关键词静电感应器件，复合结构，Ｉ～Ｖ特性表面栅结构（Ｓ－－８）和埋栅结构（ＨＳ）作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”－”．近几年我们采用了一种介于上述两种结构之间的结构（用０...

一种新型结构的静电感应晶体管

提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.

半导体静电感应器件

静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶体管和电子管比较，使用静电感应器件最明显的优点一是可实现功率变频。从而达到高效节能（节能效果可高达40％），二是可优化产品结构、大幅度缩小产品体积，降低原材料消耗。

静电感应晶体管I-V特性的控制

静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。

100A/1200V静电感应晶闸管的设计

分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．

静电感应式粉粒体质量流量测量方法的研究

质量流量的在线测量对生产的控制及生产效率的提高具有重要意义。基于点电荷的概念,设计了粉粒体质量流量传感器的静电感应实验装置,实验研究了带电颗粒在敏感区域中不同位置的传感器感应特性。针对不同的流动参数,对质量流量的测量进行了仿真研究。实验及仿真结果表明:环式静电感应传感器适合于测量流速均匀分布或者流速值分布固定的粉粒体质量流量。

双流体静电感应喷雾流场测量的试验研究

运用OLID测量系统,对双流体静电感应喷头在不同充电电压和气体压力条件下的喷雾流场进行了测试,对粒径大小、速度分布的测量结果进行了分析和探讨。结果表明:雾滴在气流剪切力和静电力的作用下,在整个流场中粒径与速度均呈中心大、边缘小对称分布;喷嘴气体压力是影响雾滴粒径大小的主要因素,气体压力愈大,荷电雾滴的粒径愈小且分布愈均匀;随充电电压的升高,雾滴的粒径减小,平均速度值增大,中心与边缘粒径与速度的分布趋向均匀。

电压型感应加热电源静电感应负载匹配电路静特性分析

分析了电压型感应加热电源利用静电感应法实现负载匹配的三种拓扑电路的静态特性。在负载电阻的变换范围内,对感应线圈参数变换的灵敏度、各补偿元件承受的电量值(电压、电流)等方面进行了系统的理论分析,并在此基础上指出了不同拓扑电路的使用条件和优缺点。最后通过典型感应线圈的仿真与实验,证明了分析的合理性和实用性。

超高压输变电系统静电感应水平的数值分析及计算

本文用模拟电荷法编制的通用程序，能计算不同电压等级、各种配置方式下高压输变电系统（包括超高压变电所）的静电感应水平。并对若干座新建的５００ｋＶ超高压配电装置进行过计算，其结果与模拟试验以及与理论分析基本一致。

用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性

报告了用二维全带组合MonteCarlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管 (SITs)交直流特性的结果 .SIT的栅极长度为 0 13μm ,源极和漏极之间距离为 0 5 μm .模拟得到了SIT的输出特性 ,跨导和特征频率特性 .模拟得到的跨导最大值为 14 0ms/mm(Vgs=- 1.5V) ,器件特征频率最大值为 12 3GHz(Ids=3 15A/cm) .