电子元器件静电放电敏感度(ESDS)检测

静电放电敏感度(ESDS)是电子元器件的重要可靠性参数之一。本文从检测目的、标准波形、检测标准及委托程序几个方面阐述了ESDS的检测方法。

静电放电和方波EMP对微电子器件的效应

为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;器件损伤时的灵敏参数是VBRCEO;又采用方波注入法对两晶体管进行实验比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP最敏感端对是CB结而非以往人们认为的EB结。

GaN基LED等ESD敏感器件的静电防护技术

随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护必须渗透到生产全过程。

基于可控硅整流器的静电放电防护器件延迟特性

为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完善了器件防护延迟模型,当注入脉冲电压值增大到700V时,模型最大误差<0.5ns,在分析快沿脉冲的防护时更符合实际情况。仿真结果表明:当阱间距取5.00μm,N+与P+间隔取0.50μm,SCR的开启时间可降为1ns。此外,在大幅值的脉冲注入下,由于结电容的充电速度加快,SCR的开启也更为迅速。实验结果验证了模型和仿真分析的准确性,在一定程度上增大阱间距的宽度,减小N+与P+的间隔可以缩短SCR的开启时间,为该类型防护器件的设计、参数优化提供了理论依据。

静电放电对半导体元器件的损伤机理

随着科学技术的不断发展,国防现代化水平不断提高,军械装备对电子产品的需求也越来越高。在各种现代化武器装备的总体成本中,电子设备所占的比例日益增高。据国外文献报导目前的比例是:军舰为22%,坦克和军用车辆为33%,导弹为45%,航天飞机为60%。

静电敏感元器件选用与质量控制方法研究与实践

从风险管理的角度,对合格供应商现场检查中发现的静电防护风险进行了深入统计分析。探索了静电敏感元器件的源头识别与选用控制方法,静电敏感元器件采购、储运全过程的质量管控措施,以及对供应商生产全过程监督和审核的管理方法,并在合格供应商现场审核及质量管控工作中加以实践。

从ANSI/ESD S20.20-2014的变化谈静电放电控制发展趋势

2014年7月,美国批准实施了最新标准ANSI/ESD S20.20,新标准增加了控制CDM/MM的量化指标要求,增加了人体静电电压测试要求以及绝缘体静电电场控制的要求等等,比2007版标准更加合理和完善,本文从S20.20标准的变化,谈谈静电放电（ESD）的控制发展趋势。静电放电模型设置更科学美国ESD协会在制定ESD控制方案时要记录最敏感器件,从而制定科学、合理、充分的ESD控制方案。

静电放电电磁脉冲理论建模与作用机理研究进展

通过静电放电效应实验和理论分析,研究了IEC6100042标准规定的实验方法与实验平台的局限性,提出了改进的ESD电磁场理论模型,探讨了静电放电电磁脉冲对微电子器件作用机理,提出了相应防护对策。

微波半导体晶体管静电放电损伤机理

为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性。结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,使器件发生击穿烧毁。

电子产品静电放电的危害、测试及其对策(一)

随着电子产品自动化、智能化程度越来越高,静电放电对其危害也越来越严重,本文根据笔者实际工作经验及相 关资料就静电放电形成机理、对电子产品的危害及静电放电敏感度测试、电路设计对策等提出一些观点和看法, 供大家在实际使用中参考。

保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响

基于华润上华0.5μm双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力。以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构。通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力。仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36%,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法。

小电流晶闸管静电放电损伤特性研究

为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K+G-端对注入MM ESD时最易导致小电流晶闸管损伤,这是由于在晶闸管内部形成的3个pn结中,J3结结深最浅,并且pn结处于反偏状态时更易发生击穿以及热损伤;机械模型静电放电注入后损伤的小电流晶闸管失效模式为门极失去控制作用。该研究结果对于提高电子器件抗静电能力具有一定的工程指导意义。

航天电子元器件检测过程中的静电防护研究

以航天电子元器件为研究对象,分析其在被检测过程中产生静电放电的原因及静电放电对元器件的危害机理。总结一些静电防护技术确保元器件在检测过程中能够避免静电对其危害。

双向硅ESD保护器件

泰科电子（TE）日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电（ESD）器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术（SMT）被动封装配置的各种优势结合在一起。

安森美:TVS器件带来可靠的ESD防护

电子产品的快速发展对ESD（静电放电）防护提出了更高的要求。一方面，电子产品特性及功能不断增加，输入，输出端口随之增多，提升了ESD发生的可能性，另一方面，轻薄化的趋势不仅使IC尺寸不断减小，还使其ESD防护能力变弱。因此，电子产品需要更有效的ESD防护器件。

新型ESD抑制器件

安森美半导体目前推出μESD（微型ESD）双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管。μESD双串联系列产品为电压敏感元件提供双线保护而设计，适用于需要小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。