强流回旋加速器静电注入偏转板设计方法研究

从离子在回旋加速器静电注入偏转板中的运动方程出发，对注入偏转板完成了计算机辅助设计，并给出辅助加工数据。计算设计和束流仿真过程全部在ＰＧ－４８６微机上完成，形成一个注入偏转板设计软件包，并且可以与已开发的＂智能化回旋加速器主磁铁ＣＡＥ系统＂配套使用，使回旋加速器的整机开发前进了一步。

静电注入对55nm MV/HV GGNMOS ESD性能的影响

静电防护问题是提升集成电路可靠性面临的主要挑战之一。基于55 nm HV CMOS工艺,研究了静电注入对中压(MV)和高压(HV)GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)器件静电防护性能的影响。研究结果表明,对MV GGNMOS器件来说,静电注入能够在有效降低开启电压(V_(t))、保持电压(V_(h))的同时,减小对二次击穿电流(I_(t2))的影响,且注入面积的改变对器件性能的影响极为有限;对HV GGNMOS器件来说,提高静电注入浓度能够有效提高静电防护能力。