非共线反铁磁Weyl半金属Mn_(3)Ge中电磁特性的质量依赖

近年来的一些实验和理论研究证实,Mn3X系列材料具有非共线反铁磁Weyl半金属的特征,有很大的应用潜力,其中以Mn3Sn和Mn_(3)Ge最为突出。使用助熔剂法制备得到了两块Mn_(3)Ge的晶体,对其电输运和磁特性进行了详细研究。结果表明,晶体的电磁特性与其质量有很强的依赖关系。过量的Mn占据Ge原子的位点会导致材料内部缺陷增多,在Mn与Ge的原子数分数之比为76.88∶23.12时,晶体的交换偏置场强度在温度T=2 K以及5×10^(4)Oe(1 A·m-1=4π×10^(-3)Oe)场冷却的条件下增强了47%,反常霍尔电导率在T=100 K时高场(±3×10^(4)Oe)的饱和值提升了1.7倍。并且对现象背后的物理机理进行了探讨。该研究表明,电输运和磁特性的质量依赖可以提供与以往电、磁等调节性能方式不同的手段,对开关和存储器件的开发具有一定的参考价值。