三维非计量Cu2-xSe光催化剂的制备及其对甲醛降解研究

为了制备能够吸收更长波段光源,可以用时利用太阳光的可见光区域和红外光区域的光催化剂,以商业Cu网为模板,通过牺牲模板法制备三维非化学计量Cu2-xSe/Cu光催化剂。将Cu网浸没在含有硒粉、NaOH和NaBH4的Se2-溶液中。比较不同反应时间的催化剂,2 h得到的光催化剂性能最好。Cu2-xSe/Cu网在可见光和红外光区均能达到良好的响应。在红外光照射下Cu2-xSe/Cu网50 min可以完全降解10 ppm甲醛。在可见光和红外光照射下Cu2-xSe/Cu网40 min就能完全去除10 ppm甲醛,且10次循环实验光催化剂仍能保持高效的催化降解性能。三维的Cu2-xSe/Cu网体现了优异的降解甲醛性能,并且在红外光区域的性能也十分显著。

沉淀转化法制备非化学计量化合物Cu_(2-x)S的物相研究

采用沉淀转化法,在碱性条件下用葡萄糖(C6H12O6)还原CuSO_4得到砖红色的Cu_2O,再以Na_2S为硫化剂将Cu_2O转化成Cu_2S,所得Cu_2S经不同温度的煅烧制备出非化学计量化合物Cu2-xS。采用XRD、SEM等检测手段对Cu2S和Cu2-xS粉末进行物相和形貌分析。结果表明:在不同温度下Cu2-xS发生相变;随着温度的升高,Cu与S的摩尔比增大,当温度达到700℃后以Cu_2S形式稳定存在。

SnO_(2-x)薄膜非化学计量比对气敏性能的影响

采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题。通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响。XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著。薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大。气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性。氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致。0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高达45.6%。另外,在0.2-0.5Pa氧分压下制备的薄膜对氢气具有较好的选择性。

非化学计量比Gd_5Si_2Ge_2合金的磁热性能研究

在使用纯度为99.94%(质量分数)的国产稀土金属Gd的基础上,研究了非化学计量比的Gd5Si2Ge2合金的磁热效应。结果表明:适量的非化学计量比可以使合金保持一级磁相变的特征并表现出巨磁热效应,而且还使居里点有所提高。

La_2NiO_(4+δ)的非化学计量与氧渗透性能

采用质量损失法、碘量滴定法和正电子湮没寿命谱研究了 La_2NiO_(4＋δ)透氧膜的非化学计量，并表征了该材料的氧渗透性能，探讨了 La_2NiO_(4＋δ)的非化学计量缺陷与氧渗透性能之间的关系。研究结果表明， La_2NiO_(4＋δ)的氧渗透通量随δ的增大而增大。

Co掺杂的YBa_2Cu_2O_(6+δ)的氧非计量和氧渗透性能研究(英文)

研究钴离子部分取代铜离子对YBa2 Cu3 O6+δ的氧非计量值δ和氧渗透率的影响 .对于钴替代的样品 ,氧非计量的绝对值变大 ,且其数值不再随温度和氧分压的变化发生显著变化 .YBa2 Cu2 CoO6+δ样品在中、高温具有可观的氧渗透率 .对于厚度为 1.2mm的致密YBa2 Cu2 CoO6+δ样品 ,在 85 0℃时 ,只要在样品两端施加较小的氧分压差(PO2 =2 1.2kPa、PO2 =10 1Pa) ,其氧渗透率即可达 5 7μmol/cm2 s,明显高于YBa2 Cu3 O6+δ的氧渗透率 (31μmol/cm2s) .YBa2 Cu2

复合金属氧化物Ce_xZr_(1-x)O_(2-δ)的氧非化学计量值的测定

在含有硝酸铈和硝酸锆的溶液中加入氨水并用聚丙烯酰胺作分散剂制得金属离子的沉淀,抽滤所得沉淀经110℃烘干后,在600℃(空气中)焙烧2 h,制得复合金属氧化物Ce_xZr_(1-x)O_(2-δ)粉状固体。以此为样品,溶于3 mol·L^(-1)硫酸溶液中,加入已知且过量的硫酸亚铁铵标准溶液将试样中的铈(Ⅳ)还原为3价;用K_2Cr_2O_7标准溶液滴定溶液中过量的亚铁。根据给出的公式计算氧非化学计量值δ。根据样品的测定结果,算得方法的相对标准偏差(n=6)为1.0%,经与热重法对照,两方法所得结果相符。

非化学计量掺杂Ce纳米SiO_2复合粒子聚砜复合膜处理油田含油污水技术研究

为了提高膜分离法处理油田回注水的分离效果,减小油质对膜的污染,对用非化学计量掺杂Ce纳米SiO2复合粒子聚砜(PSF)复合膜处理含油污水技术进行了研究。当掺杂Ce纳米SiO2复合粒子添加量为PSF质量的10%时,复合膜的水接触角为最小试验值41.7°;以此添加量制得的PSF复合膜的水通量最大,且随着操作时间的延续该复合膜的水通量下降得最慢;该复合膜对含油污水所含油分的截留率大于98%;经过6次洗涤后,该复合膜的水通量仍能恢复至初始值的85%左右;含油污水处理后可达到国家农田灌溉水质标准。

A2BO4型类钙钛矿材料中非化学计量氧的分子模拟

A2BO4型类钙钛矿材料因其独特的物化性能,可应用于催化、固体氧化物燃料电池等领域。本文简要介绍了A2BO4型类钙钛矿材料的结构和非化学计量氧(δ)的研究方法,对材料的δ分子模拟研究进展进行了综述,重点介绍了材料非化学计量氧迁移、输运机制的分子模拟研究现状,包括未掺杂纯相、A位掺杂和B位掺杂A2BO4型类钙钛矿三类材料,同时也对该领域的发展趋势进行了展望。

柠檬酸钠辅助光化学合成Cu_2-_xSe纳米晶

近年来,纳米颗粒由于具有许多独特的物理、化学性能而引起人们的高度重视[1].硒化铜纳米晶也因其组成多样性且能广泛应用于太阳能电池,超离子导体等领域而成为学术界的研究热点之一.

非化学计量掺杂Ce硅质纳米复合物的制备与表征

为了提高纳米SiO_2粒子填充聚合物时的强度、韧性及亲水性能,通过溶胶-凝胶法制备出非化学计量掺杂Ce点缺陷的硅质纳米复合物,并进行了FT-IR、XRD、XPS、TEM的测试表征,考察了Ce的掺杂对纳米SiO_2结构及性能的影响.随着稀土元素Ce掺杂量的增加,样品晶胞参数和红外吸收光谱(FT-IR)发生变化,为Ce进入到SiO_2骨架中提供了有力证据.XRD结果表明掺杂量<8%时,Ce原子同晶取代Si原子.当掺杂量>8%时,进入孔道内未置换骨架原子的稀土元素会生成掺杂离子的氧化物游离相,从而堵塞SiO_2的部分细孔造成吸附性能的下降,而在复合物表面聚集的稀土元素可作为Lewis酸中心.X射线光电子能谱(XPS)进一步证明了铈主要以三价形式存在于SiO_2三维网状结构中.TEM测得样品的颗粒尺寸为30～50nm之间,表明制备的样品具有较好的分散性和纳米粒度.同时对稀土元素的掺杂机理进行了初步的研究.

Cu(Ⅰ)(CH_3COCHCOOEt)[P(NEt_2)_3]_2配合物的电化学合成及表征

用牺牲金属阳极的电化学方法合成了一种新的一价铜配合物 Cu( ) (CH3COCHCOOEt) [P(NEt2 ) 3]2 ,对配合物进行了元素分析、红外光谱、核磁共振测试及表征 ,并研究了反应的机理 .

B位非化学计量比对0.6BCN-0.4BZN陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法,制备了Ba(Co0.6Zn0.4)1/3Nb2/3O3(0.6BCN-0.4BZN)微波介质陶瓷。系统研究了Ba(Co0.6Zn0.4)(1/3+x)Nb2/3O3陶瓷中B位(Zn,Co)离子的非化学计量比(x=-0.015,-0.009,-0.003,0,0.003,0.009,0.015)对该微波介质陶瓷性能的影响。结果表明:少量的B位离子缺量,可以促进烧结的致密化。x为-0.009时所制陶瓷密度最大,达到理论密度的99%以上。在1400℃下烧结20h,可以获得εr=35.35,Q.f=40787GHz(f=5.180GHz),τf=-3×10-6/℃的0.6BCN-0.4BZN陶瓷。

超导线圈用MgB_2/Cu导线的临界电流密度与磁场的关系

美国HyperTech公司使用纯Mg粉和B粉按照化学计量比混合，采用连续粉末装管成形工艺（cTFF）制备了单芯Cu／MgB2导线。导线的直径分别为0．80，1．03和1．25mm，通过SEM观察得到超导芯丝的横截面积分别为1．8×10^-3，2．9×10^-3和4．2×10^-3cm2。将100m的长线截成100mm的短样品，并将每个短样品的两端进行机械密封。采用优化后的退火制度（单步法和两步法），

非化学计量和掺杂对(Na_(1/2)Bi_(1/2))_(0.92)Ba_(0.08)TiO_3陶瓷电性能的影响

研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3的压电性能及去极化温度的影响 .研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能 ;B位掺杂对材料电学性能的影响规律类似于Pb(Ti,Zr)O3系压电陶瓷的相关规律 ;由于非化学计量和掺杂会影响到A位离子对B位离子与氧离子形成的BO6 八面体的耦合作用 ,影响到畴的稳定性 ,从而影响到 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3陶瓷的去极化温度 ;所研究的陶瓷样品的去极化温度越低 ,压电系数越高 .

非化学计量比AgSbTe_(2+x)化合物制备及热电性能

采用高纯元素直接熔融、淬火并结合放电等离子烧结方法制备了非化学计量比AgSbTe2+x(x=0—0.05)系列样品,研究了不同Te含量在300—600K范围内对样品热电性能的影响规律.结果表明:随着Te含量的增加,Ag+离子空位浓度增加,空穴浓度和电导率大幅度提高,Seebeck系数减小.热导率随Te过量程度的增加略有增加,但所有Te过量样品的晶格热导率均介于0.32—0.49W/mK之间,低于化学计量比样品的值,接近理论最低晶格热导率.AgSbTe2.01(x=0.01)样品具有最佳的综合热电性能,其热电优值ZT在562K达到1.41,与AgSbTe2化合物相比增加了15%.

Li过量对M-相固溶体Li_2O-Nb_2O_5-TiO_2陶瓷微波介电性能的影响

含有M-相固溶体Li2O-Nb2O5-TiO2(LNT)的微波介质陶瓷具有烧结温度(约1100℃)低,介电常数εr(65～70)及Q·f值(约5000 GHz)高的特点,但其频率温度系数τ却往往偏高(约23×10–6/℃)。为此,系统研究了非化学计量比下Li含量对LNT陶瓷微波介电性能的影响。实验结果表明,Li含量增加能有效调节LNT陶瓷的频率温度系数至近零而不影响其他性能。当Li含量过量5%(质量分数)时,LNT陶瓷具有最佳性能:εr=69.73,Q·f=5 543GHz(=3.518 GHz),τf=–4.4×10–6/℃。

La_2Ni_(1-x)Fe_xO_(4+δ)复合氧化物的合成及表征

以EDTA为配位体,采用溶胶-凝胶法合成了La2Ni1-xFexO4+δ系复合氧化物,XRD结果表明,所有样品都具有K2NiF4型结构。通过碘量法测定结果表明Ni/Fe的平均化合价和样品的非化学计量氧含量,均随x的增加而增大;当x=0.2时,非化学计量氧含量最高为0.2462。通过FT-IR发现Fe的引入导致Ni-O键的振动加强,这有利于间隙氧离子的活动。交流阻抗法测定样品的离子电导率随x的增加而逐渐增大,同一样品离子电导率在低温段随温度的升高而增大,表现出小极化子占主要的电导作用。

La_2Ni_(1-x)Fe_xO_(4+δ)复合氧化物的合成及表征

以EDTA为配位体,采用溶胶-凝胶法合成了La2Ni1-xFexO4+δ系复合氧化物,XRD结果表明,所有样品都具有K2NiF4型结构。通过碘量法测定结果表明Ni/Fe的平均化合价和样品的非化学计量氧含量,均随x的增加而增大;当x=0.2时,非化学计量氧含量最高为0.2462。通过FT-IR发现Fe的引入导致Ni-O键的振动加强,这有利于间隙氧离子的活动。交流阻抗法测定样品的离子电导率随x的增加而逐渐增大,同一样品离子电导率在低温段随温度的升高而增大,表现出小极化子占主要的电导作用。

利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法

一种利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法，包括以下步骤：a)按非化学计量配制Ni2MnGa合金原料，其中含有50．3～53．0at％Ni，Mn／Ga比=1．05～1．15；b)将高纯元素Ni，Mn和Ga原料在氩气保护下电弧熔炼制得多晶锭块：c)对多晶锭块进行温度为1100～1200K、