非均匀恒磁场对低压缺氧小鼠学习记忆障碍的影响

目的 :探讨非均匀恒磁场N极、S极对急性低压缺氧引起的学习记忆障碍是否有改善作用。方法 :4 8只小鼠分为空白对照组、缺氧组、磁场N极 +缺氧组和磁场S极 +缺氧组。采用避暗实验法和自主活动法进行观察。结果 :(1)避暗实验表明 ,磁场N极 +缺氧组、磁场S极+缺氧组的累积错误次数 (M值 )分别为 2 .4 2± 1.0 8与 2 .5 0± 1.17;逃避潜伏期 (EL值 )分别为(71.0 8± 19.5 5 )s与 (5 3.0 0± 19.75 )s ,缺氧组M值为 (3.5 8± 1.0 8)次 ,EL值为 (32 .5 0± 11.6 0 )s ,则表明记忆成绩M值减少 (P <0 .0 1,P <0 .0 5 ) ,EL值延长 (P <0 .0 1,P <0 .0 5 ) ,且磁场N极 +缺氧组的EL值较磁场S极 +缺氧组的EL值延长 (P <0 .0 5 )。 (2 )动物自主活动测定表明 ,缺氧组、空白对照组、磁场N极 +缺氧组和磁场S极 +缺氧组的自主活动次数分别为 10 4± 2 2 .0 7、185± 4 1.15、187± 37.16、182± 2 9.13,缺氧组的明显减少 (P <0 .0 5 ) ,而经磁场处理的两组已恢复到正常水平。结论 :非均匀恒磁场的预防性治疗 ,可改善由低压缺氧造成的记忆功能损害 。

非均匀稳恒磁场及均匀交变磁场的致突变性研究

通过鼠伤寒沙门氏菌组氨酸缺陷型诱变实验及 SOS显色诱导实验对非均匀稳恒磁场及均匀交变磁场进行了致突变性研究 .结果表明 。