宇航用非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA质量保证技术分析

通过理论分析以及对国内外相关质量保证标准和论文分析,系统地介绍了非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的结构特点,分析了非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的封装评价要求、筛选试验以及鉴定检验要求,对于解决未来国产高密度非密封陶瓷倒装芯片封装FPGA产品的质量保证技术问题具有一定的指导意义。

一种基于倒装芯片的超宽带BGA封装差分传输结构

随着高速数字电路和射频微波电路对时钟频率和带宽的要求越来越高,差分传输结构因其优良的噪声抑制和抗干扰性能而受到越来越多的重视。提出了一种基于倒装芯片的超宽带球栅阵列(BGA)封装差分传输结构。整体传输结构包括采用陶瓷材料制作的倒装芯片用基板、BGA封装焊球和印制电路板(PCB)。主要分析了差分垂直传输结构的尺寸参数对阻抗和截止频率的影响,并利用阶梯过孔减小阻抗不连续性。整体结构的传输性能通过矢量网络分析仪测试的散射参数来表征。测试与仿真结果具有较好的一致性,在DC~60 GHz频段,差分传输结构的回波损耗≤-15 dB,插入损耗优于-1 dB,为超宽带倒装芯片的封装设计提供参考。

道康宁推出新型上盖密封粘着剂支持快速成长的倒装芯片封装应用

全球材料、应用技术及服务的供应商一美国道康宁公司日前宣布推出DOW CORNING EA-6700微电子粘着剂，这种新型上盖密封材料(lid-seal materiall具备独特的化学成份，最适合新一代倒装芯片(flip．chip)封装。EA-6700是道康宁不断大扩大的封装材料产品系列中最新推出的粘着剂。

倒装芯片封装技术概论

高密度电子封装正朝着小型化、高I/O密度、更好的散热性和高的可靠性方向发展,传统引线键合技术已经无法满足要求。先进的倒装芯片封装技术由于具有较高的单位面积内I/O数量、短的信号路径、高的散热性、良好的电学和热力学性能,在电子封装中被广泛关注。底部填充胶被填充在芯片与基板之间的间隙,来降低芯片与基板热膨胀系数不匹配产生的应力,提高封装的稳定性。然而,流动底部填充胶依赖于胶的毛细作用进行填充,存在很多缺点。为了克服这些缺点,出现了非流动底部填充胶,以改善倒装芯片底部填充工艺。文章回顾了倒装芯片封装技术的发展,阐述了流动和非流动底部填充胶的施胶方式和性质。

Remtec密封无引线陶瓷SMT封装

Remtec公司推出无引线陶瓷SMT密封封装，用于PCB直接安装。Remtec无引线SMT芯片载体，现在有完全密封（到10—8）型号，采用独特的过孔插入的“卷绕”互联，密封填充过孔和集成的无源器件。通过过孔低阻抗（1mΩ）插入实现低RF损耗（4GHz时低于1dB）。

芯片高密度封装互连技术

电子封装正朝着高密度封装的方向发展,以满足市场对高性能、高可靠性、低成本、微型化的电子产品的需求.高密度封装具有多学科交叉的特点.综述课题组多年来在芯片高密度封装互连技术,包括倒装芯片(flip chip,FC)凸点制备/转移技术、导电胶高密度互连技术、叠层芯片封装技术及封装可靠性方面的研究工作,并指出未来高密度封装技术的发展方向.

MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。

MEMS封装中的关键技术

简要分析了MEMS(微机电系统)器件封装的难点所在,随后介绍了晶片键合,晶片级密封,倒装芯片技术等主要的MEMS封装技术。

倒装片下填充技术综述

本文描述了倒装片主流技术的发展方向。并对快速毛细管下填充、连续可塑下填充、非流动性下填充、各向异性导电薄膜和圆片级下填充等进行了阐述。

助焊剂残留对底部填充粘接强度的影响

随着封装工艺的不断发展,芯片I/O数越来越多,高密度芯片封装必须采用倒装焊的形式。底部填充作为芯片倒装焊封装后的加固工艺,填充胶与倒装焊使用的助焊剂的兼容性对于研究倒装焊电路的长期可靠性至关重要。分析了底部填充胶与助焊剂的兼容性,以及助焊剂的残留对底部填充胶加固效果的影响。若助焊剂清洗不干净,会导致底部填充胶的粘接力下降,影响器件的质量。