基于非晶合金非对称巨磁阻抗效应的磁传感器设计

以CoFeNiSiB非晶合金薄带为敏感材料,测试分析了其软磁性能,经空气中磁场退火热处理,获得了较好的非对称巨磁阻抗效应(AGMI)。以磁场退火处理后的非晶合金薄带为敏感元件,设计了AGMI磁传感器,并对其性能进行了开环和闭环测试。测试结果表明,开环条件下该传感器表现出较高的灵敏度;闭环条件下则表现出更好的线性度和更宽的测量范围。该传感器可实现对地磁场的检测,在地磁导航领域中具有较好的应用前景。

带材非对称巨磁阻抗效应的建模及数值计算

非对称巨磁阻抗效应具有高灵敏度的磁场响应.对于具有内部非晶软磁层和表面结晶层的带材,其非对称巨磁阻抗效应的传感建模是个复杂问题.文中针对这一问题,采用有效偏置场描述表层和内层之间的耦合作用,通过求解Landau-Lifshitz动力学方程和线性Maxwell方程得到器件的对角和非对角电压,并计算结晶层厚度变化时的磁场特性正反向工作区间和灵敏度.计算结果与实验基本相符,表明所建模型是可靠有效的.

巨磁阻抗效应的非对称特性

巨磁阻抗效应的应用需要传感器具有好的线性度和高的灵敏度,实现非对称巨磁阻抗效应可以使传感器在零场附近提高灵敏度和改善线性度.本文对近年来非对称巨磁阻抗效应的研究进展进行了综述,并分析了其产生的机理.

正交激励与直流偏置的钴基非晶带弱磁传感器

通过纵横向正交激励与直流偏置的方式使脉冲电流退火钴基非晶带产生非对称巨磁阻抗（AGMI）效应,与仅使用横向激励方式相比,提高了单边GMI效应,包括：线性量程、阻抗磁灵敏度和最大阻抗变化率。在研究正交激励与直流偏置方式下非晶带特性的基础上,设计了钴基非晶带AGMI效应弱磁传感器并对传感器进行试验标定及数据分析,所得传感器性能指标：量程为-1.0~1.0 Oe,灵敏度为1.670 4 V/Oe,线性度为1.78%FS。