半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率

为优化二次谐波产生器件的性能 ,研究和开发新的非线性光学材料 ,对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究。计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数 χ( 2 )2ω ,给出了 χ( 2 )2ω 随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律。

光泵调制掺杂阶梯量子阱THz激光器瞬态动力学的Monte Carlo模拟

采用系综Monte Carlo(EMC)方法首次对光泵量子阱THz激光器的载流子瞬态动力学进行了分析.提出的器件原型为三能级调制掺杂GaAs/GaxAl(1-x)As系列非对称阶梯量子阱,激射频率为6.1THz.模拟中包括了电子-电子、电子-光学声子和电子-声学声子等散射机制,采用调制掺杂以得到较高电子密度可以忽略电子-电离杂质散射.已报道的研究工作都是在量子阱中掺杂,而对于这种器件原型能否得到电子布居反转,报道的结果也是相互矛盾.器件原型在温度为77K,光泵强度达到一定值时可以得到电子布居反转,所得到的研究结果对相关的实验研究具有一定的指导意义.