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非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计
被引量:
1
1
作者
张诗雨
洪霞
+1 位作者
方旭
叶辉
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期84-88,共5页
针对金属-半导体-金属(MSM)光电探测器暗电流抑制的机理,本文提出了一种具有非对称面电极结构的硅基锗MSM光电探测器的设计方法,利用ATLAS仿真软件分析了电极结构参数对暗电流的影响,并通过实验得出样品器件的暗电流降低至微安量级。实...
针对金属-半导体-金属(MSM)光电探测器暗电流抑制的机理,本文提出了一种具有非对称面电极结构的硅基锗MSM光电探测器的设计方法,利用ATLAS仿真软件分析了电极结构参数对暗电流的影响,并通过实验得出样品器件的暗电流降低至微安量级。实验结果表明,采用非对称面电极结构设计可以有效抑制硅基锗MSM光电探测器的暗电流,提高器件性能。
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关键词
非对称面电极
锗探测器
暗电流
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职称材料
题名
非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计
被引量:
1
1
作者
张诗雨
洪霞
方旭
叶辉
机构
浙江大学光电信息工程学系
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期84-88,共5页
基金
国家重点基础研究发展(973)计划(2013CB632104)
浙江省自然科学基金重点项目(LZ12F04002)
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室项目(moi2010021)基金资助项目
文摘
针对金属-半导体-金属(MSM)光电探测器暗电流抑制的机理,本文提出了一种具有非对称面电极结构的硅基锗MSM光电探测器的设计方法,利用ATLAS仿真软件分析了电极结构参数对暗电流的影响,并通过实验得出样品器件的暗电流降低至微安量级。实验结果表明,采用非对称面电极结构设计可以有效抑制硅基锗MSM光电探测器的暗电流,提高器件性能。
关键词
非对称面电极
锗探测器
暗电流
Keywords
asymmetric area electrodes
germanium photodetector
dark current
分类号
O472 [理学—半导体物理]
TH74 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计
张诗雨
洪霞
方旭
叶辉
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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