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题名非层状二维CdSe的制备及厚度对带隙的影响
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作者
李婷
张文婷
王红艳
李秀梅
雷子煊
夏晓凤
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机构
西南交通大学物理科学与技术学院材料先进技术重点实验室
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出处
《原子与分子物理学报》
北大核心
2024年第5期153-158,共6页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金项目(51902272)
四川省科技厅计划项目(2021YFG0228,2682021GF007)。
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文摘
二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑战. 本论文通过化学气相沉积法实现了非层状CdSe在云母衬底上的二维各向异性生长. 详细表征了二维CdSe的微观形貌、晶体结构和光学特性等. 结果表明,样品具有显著的光致发光 (PL )效应,说明厚度减薄至纳米级时不会破坏CdSe的直接带隙属性. 此外,随着厚度减小,样品的PL峰逐渐蓝移. 为了进一步解释该现象,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同厚度的CdSe的能带结构,结果显示均为直接带隙,且随厚度减小,带隙值增大,与实验现象吻合. 由此可知,通过生长参数调控二维CdSe的厚度,即可实现对其带隙的有效调控,这对相关光电器件的性能提升具有指导意义.
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关键词
非层状半导体材料
二维CdSe
化学气相沉积
带隙
第一性原理
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Keywords
Non-layered semiconductor materials
Two-dimensional CdSe
Chemical vapor deposition
Bandgap
First principles
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分类号
O64
[理学—物理化学]
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