电荷非平衡super junction结构电场分布

建立了电荷非平衡情况下superjunction(SJ)耐压结构的二维电场分布理论模型.获得了浓度和宽度非平衡、梯形n-/p-区和横向线性缓变掺杂三种非平衡SJ结构的电场分布.理论分析结果与二维器件数值仿真软件MEDICI的仿真结果符合良好.虽然给出的电场分布为三角级数形式,但仍能从中获得很多重要信息.特别地,由此可求出非平衡SJ结构的峰值电场和耐压.该结果有助于对SJ结构的深入分析.

Nd^(3+)A位置换对(Pb_(0.5)Ca_(0.5))(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3陶瓷微波介电性能的影响

研究了Nd3+离子A位置换改性(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Nb0.5)O3陶瓷的微波介电性能.[(Pb0.5Ca0.5)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3(PCNFN)陶瓷的微波介电性能得到改善是由于少量过剩的Nd3+与(Pb,Ca)2+的固溶能够消除氧空位.当x=0.02时,能够形成单相的钙钛矿相,随着Nd3+置换量的增加,过剩的Nd3+将导致第二相焦绿石的形成,焦绿石会恶化PCNFN的微波介电性能.PCNFN介电性能随x的增加而下降是由于焦绿石相随x增加的结果.当x=0.02-0.05,PCNFN陶瓷有很好的微波介电性能,介电常数K>100,Qf值为5385-5797GHz,频率温度系数TCF随Nd3+含量的增加从正的变为负的.

Super Junction MOSFET(CoolMOS)

SJ-MOSFET的结构除外延层外与常规MOSFET类似。但是,其外延层能承受更大的电场,特征导通电阻更小。

一种具有独特导通机理的新型超结IGBT

首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA-MEDICI仿真验证,超结IGBT耐压能力和正向导通能力都明显优于普通IGBT。并且发现,不同N柱、P柱掺杂浓度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之间相互改变,而这一特性是超结IGBT所独有的。也正是这一特殊的导通机理使得超结IGBT的Eoff-Von关系得到了突破性的改进。此外,结合超结技术的基本理论详细分析了电荷非平衡效应对超结IGBT器件耐压能力的影响,给出了耐压区N柱、P柱掺杂浓度的合理取值范围。