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用非平衡磁控溅射法制备CN_x薄膜 被引量:2
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作者 高鹏 刘传胜 +2 位作者 吴大维 彭友贵 范湘军 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2001年第1期99-102,共4页
利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明... 利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明了C—N的存在 .X射线衍射谱显示薄膜中含有 β C3N4 晶粒 .实验证明 ,非平衡磁控溅射法是合成C3N4 薄膜的有效方法 . 展开更多
关键词 β-C3N4 非平衡磁控溅射法 薄膜 氮碳原子比 薄膜生长 X光电子能谱分析 微电子工艺 傅里叶红外分析
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