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用非平衡磁控溅射法制备CN_x薄膜
被引量:
2
1
作者
高鹏
刘传胜
+2 位作者
吴大维
彭友贵
范湘军
《武汉大学学报(自然科学版)》
CSCD
北大核心
2001年第1期99-102,共4页
利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明...
利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明了C—N的存在 .X射线衍射谱显示薄膜中含有 β C3N4 晶粒 .实验证明 ,非平衡磁控溅射法是合成C3N4 薄膜的有效方法 .
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关键词
β-C3N4
非平衡磁控溅射法
薄膜
氮碳原子比
薄膜生长
X光电子能谱分析
微电子工艺
傅里叶红外分析
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职称材料
题名
用非平衡磁控溅射法制备CN_x薄膜
被引量:
2
1
作者
高鹏
刘传胜
吴大维
彭友贵
范湘军
机构
武汉大学物理科学与技术学院
出处
《武汉大学学报(自然科学版)》
CSCD
北大核心
2001年第1期99-102,共4页
基金
国家自然科学基金!资助项目 (1 98750 37)
文摘
利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si(10 0 )衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明了C—N的存在 .X射线衍射谱显示薄膜中含有 β C3N4 晶粒 .实验证明 ,非平衡磁控溅射法是合成C3N4 薄膜的有效方法 .
关键词
β-C3N4
非平衡磁控溅射法
薄膜
氮碳原子比
薄膜生长
X光电子能谱分析
微电子工艺
傅里叶红外分析
Keywords
C_3N_4
unbalanced magnetron sputtering
thin film
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN405.92 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用非平衡磁控溅射法制备CN_x薄膜
高鹏
刘传胜
吴大维
彭友贵
范湘军
《武汉大学学报(自然科学版)》
CSCD
北大核心
2001
2
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职称材料
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