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题名高性能非平面沟道场效应晶体管
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作者
张茂林
郭宇锋
李曼
陈静
田涛
童祎
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机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
射频集成与组装技术国家与地方联合工程实验室
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出处
《应用科技》
CAS
2018年第1期51-55,60,共6页
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基金
国家自然科学基金项目(61574081)
江苏省自然科学基金项目(BK20141431)
江苏省工业支撑计划项目(BE2013130)
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文摘
半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小,不可避免地导致短沟道效应,从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管,利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究,并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理。研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化,改善器件的亚阈值特性,降低漏电流和衬底电流,提高击穿电压,从而抑制短沟道效应,提高器件的可靠性。
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关键词
短沟道效应
场效应晶体管
非平面沟道
阈值电压
亚阈值特性
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Keywords
short-channel effect
field effect transistor
nonplanar channel
threshold Voltage
sub-threshold characteristic
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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