Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．

半导体激光器非平面InP衬底表面的处理技术

本文介绍了液相外延中非平面InP衬底表面的回溶处理方法,分别用欠饱含InP溶液和欠饱和InGaAsP四元溶液对InP衬底进行回溶处理实验,得到了较好的实验结果。