期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
带有非应变盖层的应变外延层的稳定性
1
作者 金智 杨树人 +3 位作者 安海岩 马春生 王本忠 刘式墉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期882-887,共6页
本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性.针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处... 本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性.针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放.从我们的公式出发,也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式,从而使单双扭结模型统一起来.而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况,这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义. 展开更多
关键词 应变外延层 外延生长 非应变盖层 稳定性
下载PDF
非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
2
作者 金智 杨树人 +3 位作者 王本忠 孙洪波 安海岩 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第1期67-70,共4页
利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛... 利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多。 展开更多
关键词 失配位错 非应变盖层 应变外延层结构 半导体
下载PDF
非应变盖层对应变结构中净应力的影响
3
作者 金智 杨树人 +3 位作者 马春生 安海岩 王本忠 刘式墉 《中国科学(A辑)》 CSCD 1999年第2期172-176,共5页
分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .
关键词 非应变盖层 净应力 位错 应变结构 应变外延层
原文传递
半导体技术
4
《中国无线电电子学文摘》 2000年第3期37-45,共9页
关键词 半导体技术 失配位错 应变外延层 应变弛豫 非应变盖层 比例因子 大学自然科学学报 连续介质模型 能量最低原理 表达式
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部