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基于EFTEM技术测定单晶SrTiO_(3)的电子非弹性平均自由程
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作者 刘曦 蒋仁辉 +5 位作者 王怀远 吴姗姗 郑赫 赵培丽 贾双凤 王建波 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期441-448,共8页
材料的电子非弹性平均自由程(λ)是描述电子在材料中的输运性质的重要参数。然而通过实验技术直接获取材料的λ较为困难。本文介绍了一种基于EFTEM实验技术获取SrTiO_(3)单晶λ的方法:(1)采用聚焦离子束(FIB)技术制备了具有梯度厚度(100... 材料的电子非弹性平均自由程(λ)是描述电子在材料中的输运性质的重要参数。然而通过实验技术直接获取材料的λ较为困难。本文介绍了一种基于EFTEM实验技术获取SrTiO_(3)单晶λ的方法:(1)采用聚焦离子束(FIB)技术制备了具有梯度厚度(100~800 nm)的SrTiO_(3)截面样品I,并利用EFTEM得到SrTiO_(3)薄片各个阶梯区域t与λ的比值a;(2)利用FIB将截面样品Ⅰ进行二次加工得到截面样品II,并利用透射电子显微技术(TEM)直接测量各个梯度区域的t,λ即为t与a的比值。实验中测得单晶SrTiO_(3)<001>和<110>方向的λ分别为124.7 nm和120.7 nm。研究结果对利用EFTEM技术测量λ具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 SrTiO_(3) 电子非弹性平均自由程 厚度测量 能量过滤透射电子显微技术 透射电子显微学
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基于弹性背散射率的低能电子IMFP计算
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作者 卓俊 牛胜利 +2 位作者 朱金辉 谢红刚 黄流兴 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期897-900,共4页
采用蒙特卡罗程序对Fe、Cu、Ag和Au表面的电子弹性背散射过程进行了研究。模拟程序中电子的弹性散射截面使用在Dirac-Hatree-Fock交换势下求解得到的Mott散射截面。计算了固体表面弹性背散射率随非弹性散射平均自由程(IMFP)的变化规律,... 采用蒙特卡罗程序对Fe、Cu、Ag和Au表面的电子弹性背散射过程进行了研究。模拟程序中电子的弹性散射截面使用在Dirac-Hatree-Fock交换势下求解得到的Mott散射截面。计算了固体表面弹性背散射率随非弹性散射平均自由程(IMFP)的变化规律,利用弹性背散射率实验数据得到能量为100-2000 eV的电子IMFP。计算结果与使用原子广义振子强度模型得到的IMFP结果进行比较,两者符合较好。 展开更多
关键词 低能电子 弹性背散射率 弹性散射平均自由 蒙特卡罗方法
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俄歇电子能谱仪在氧化铜定量分析中的应用 被引量:2
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作者 肖红 李芳芳 +3 位作者 陆雷 曾荣光 吕学超 钟永强 《理化检验(物理分册)》 CAS 2016年第9期642-645,共4页
将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验。将修正因子引入到氧化铜标样的俄... 将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验。将修正因子引入到氧化铜标样的俄歇定量分析中,基体效应修正后,氧化铜中各元素含量的相对误差大大减小,俄歇定量分析的精确度有很大提高。 展开更多
关键词 俄歇电子能谱 定量分析 氧化铜 基体效应修正 背散射因子 非弹性平均自由程
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Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Electron Spectral Structure beyond the Known Signal Electron Peak
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作者 Alon Givon Eitan Tiferet +4 位作者 German R. Castro Juan Rubio-Zuazo Erez Golan Ilan Yaar ItzhakOrion 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2013年第7期601-605,共5页
HAXPES (hard X-ray photoelectron spectroscopy) is a powerful emerging instrument in surface analysis. It extended the photoelectron energy range up to 15,000 eV and opened the possibility to study much thicker films... HAXPES (hard X-ray photoelectron spectroscopy) is a powerful emerging instrument in surface analysis. It extended the photoelectron energy range up to 15,000 eV and opened the possibility to study much thicker films, buried layers and bulk electronic properties. In order to study these features, data for the electron IMFP (inelastic mean free path) at these energies is needed. To date, only calculated IMFP are available at energies above 5,000 eV and therefore experimental validation of these calculations are essential. In this paper, a new approach for using the HAXPES spectra is presented. This approach, treats the attenuated part of the electron spectrum as a whole to calculating the average electron energy loss. This average electron energy loss is the result of inelastic collisions in the material and hence, carry with it information about the electron transport poses. Carbon layers with thicknesses between 20 and 75 nanometer deposited over copper substrate were used to test this approach at the Spanish beam-line (Spline) in the ESRF (European synchrotron radiation facility). The measured results showed good agreement with the predictions of the multiple inelastic scattering theory. In addition, an algorithm for the experimental evaluation of electron IMFP, using the measured energy loss, is proposed. 展开更多
关键词 HAXPES IMFP carbon synchrotron.
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