Zn^(2+)掺杂Mn:Fe:LiNbO_3晶体的特性和非挥发性全息存储

在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入摩尔分数为0.1%MnO,质量分数为0.03%Fe2O3和摩尔分数分别为1%,3%和7%ZnO,用提拉法生长Zn:Mn:Fe:LN晶体。测试了晶体的红外光谱,发现7%Zn:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰位置移到3529cm-1。用光斑畸变法测量晶体的抗光损伤能力。结果表明:7%Zn:Mn:Fe:LN晶体的抗光损伤能力比Mn:Fe:LN晶体提高1个数量级以上。探讨了Zn:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理。以He-Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光,用双光子固定法测量了Zn:Mn:Fe:LN晶体的二波耦合衍射效率,以Mn:Fe:LN和1%Zn:Mn:Fe:LN晶体作为存储介质实现了非挥发性存储。

光色效应(Fe,Mn)…LiNbO_3晶体非挥发性全息存储中自衍射效应的实验研究

在双掺杂 (Fe ,Mn)…LiNbO3 晶体光色效应非挥发性全息存储实验中 ,观测到光束耦合作用导致的自增强和自衰减效应。根据这种自衍射效应 ,归纳了四种记录和光固定实验组合方案。实验结果表明 ,在记录和光固定过程中利用自增强效应得到的最高衍射效率为利用自衰减效应得到的衍射效率的两倍左右 ,说明在实际应用中必须考虑和利用自增强效应。

LiNbO_3∶Fe∶Mn晶体光色效应非挥发性全息存储自增强效应的理论及实验

通过双掺杂LiNbO3 ∶Fe∶Mn晶体光色效应非挥发性全息存储的理论研究 ,发现记录和光固定过程中都存在光束耦合作用导致的自增强和自衰减效应 ,并对其进行了理论稳态分析以及数值模拟 .利用自增强和自衰减效应得到的实验结果同理论分析相符 .结果表明 ,同等条件下在记录和光固定过程中都利用自增强效应得到的最高衍射效率可为都利用自衰减效应得到的最低衍射效率的两倍左右 ,说明在实际应用中必须考虑和利用自增强效应 .